研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) SID-JC, IEIJ-SSL (共催) (連催) [詳細] |
2024-01-25 13:30 |
京都 |
龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[ポスター講演]第一原理計算を用いた希土類添加Sr2MgSi2O7蛍光体の準位の評価 ○上川純平・矢部健心・藤間信久・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2023-6 |
[more] |
EID2023-6 pp.17-20 |
IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:15 |
ONLINE |
オンライン開催 (Webex) |
ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果 ○田中京輔・奈良俊宏・矢ヶ崎 司・伊藤里樹・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2022-7 |
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により,a面サファイア基板上に, (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] |
EID2022-7 pp.13-16 |
IEIJ-SSL, SID-JC (共催) ITE-IDY, EID, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2023-01-27 15:25 |
ONLINE |
オンライン開催 (Webex) |
六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 ○大石泰己・渡邊泰良・田中佑樹・増田克仁・吉岡 陸・増田希良里・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2022-8 |
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 (CVD) を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN... [more] |
EID2022-8 pp.17-20 |
EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 13:05 |
鳥取 |
鳥取大鳥取キャンパス |
[ポスター講演]c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長 ○名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原 和彦(静岡大) |
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法(CVD)を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more] |
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EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-23 13:10 |
鳥取 |
鳥取大鳥取キャンパス |
[ポスター講演]ZnO系ナノ粒子分散薄膜のミストCVD ○大城巨暉・小野田翔悟・奈良俊宏・小南裕子・原 和彦(静岡大) |
新規の蛍光体応用のための材料としてナノ粒子分散半導体薄膜を提案し,その一例として,ZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製... [more] |
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EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:05 |
鳥取 |
鳥取大鳥取キャンパス |
[ポスター講演]YAG:Ce蛍光体における遷移金属添加の発光特性に及ぼす影響 ○有村充生・川嶋智寛・小南裕子・原 和彦(静岡大) |
白色LED用蛍光体として広く受けいれられているYAG:Ce蛍光体に遷移金属を共添加した試料を作製し、発光特性、残光特性に... [more] |
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EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) (連催) [詳細] |
2020-01-24 10:10 |
鳥取 |
鳥取大鳥取キャンパス |
[ポスター講演]熱拡散により作製した深紫外発光ZnAl2O4薄膜の膜質評価 ○今川海斗・園田直樹・小南裕子・原 和彦(静岡大) |
スパッタリング法により、サファイア基板上にZnO膜を堆積させ、熱拡散によりZnAl2O4薄膜を作製した。電子線励起発光測... [more] |
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CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 10:30 |
静岡 |
静岡大学(浜松) |
ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性 ○大橋紘誠・藤原健八・山本幹大・原 和彦(静岡大)・酒井 優(山梨大)・光野徹也(静岡大) ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 |
[more] |
ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77 pp.5-8 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2019-01-25 09:35 |
鹿児島 |
鹿児島大学 稲盛会館 |
ZnMgO薄膜のミストCVDにおける原料の比較 ○渡井大貴・大城巨暉・小野田翔悟・楠原穂高・原 和彦・小南裕子(静岡大) |
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EST, MW, OPE, MWP, EMT (共催) IEE-EMT, THz (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-07-19 15:00 |
北海道 |
洞爺観光ホテル |
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA ○神岡 純・桑田英悟・中原和彦・加茂宣卓・半谷政毅・新庄真太郎(三菱電機) EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28 |
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC (Monolithic Microwave Int... [more] |
EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28 pp.119-124 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:30 |
静岡 |
静岡大学 浜松キャンパス |
c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構 ○川原崎 匠・梅原直己・名嘉眞朝泰・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2017-30 |
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて,c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った。ま... [more] |
EID2017-30 pp.1-4 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:40 |
静岡 |
静岡大学 浜松キャンパス |
Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性 ○増田裕一郎・長瀬 剛・国枝 航・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2017-31 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の... [more] |
EID2017-31 pp.5-8 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 13:50 |
静岡 |
静岡大学 浜松キャンパス |
有機材料薄膜形成における蒸着速度と膜厚分布の関係 ○久保田 暁・小南裕子・原 和彦・中西洋一郎(静岡大)・松本鐘三・青島洋一(エイエルエステクノロジー) EID2017-32 |
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EID2017-32 pp.9-12 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-01-25 14:00 |
静岡 |
静岡大学 浜松キャンパス |
紫外発光混晶アルミン酸亜鉛蛍光体の発光特性 ○松浦大河・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦(静岡大) EID2017-33 |
スピネル構造をもつアルミン酸亜鉛(ZnAl2O4)のAlサイトをGaで置換することでバンドギャップを制御し、発光波長を制... [more] |
EID2017-33 pp.13-16 |
MW |
2017-11-09 14:20 |
沖縄 |
宮古島マリンターミナルビル |
GaAs出力整合回路を用いたX帯30W級GaN-on-Si MMIC増幅器 ○神岡 純・河村由文・中原和彦・岡崎拓行・半谷政毅・山中宏治(三菱電機) MW2017-122 |
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MW2017-122 pp.57-60 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-26 15:47 |
徳島 |
徳島大学 |
長残光用SrAl2O4:Eu,Dy蛍光体の劣化機構 ○大川雅人・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦(静岡大) EID2016-38 |
蓄光顔料SrAl2O4:Eu,Dyを含む3種類の長残光用蛍光体を浸水曝露し、水分および熱による劣化と発光特性の変化につい... [more] |
EID2016-38 pp.53-56 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:10 |
徳島 |
徳島大学 |
アルカリ土類金属元素添加長残光用アルミン酸ストロンチウムの構造及び発光特性 ○赤堀太一・羽田京右・小南裕子・中西洋一郎・原 和彦(静岡大) EID2016-42 |
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EID2016-42 pp.113-116 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:34 |
徳島 |
徳島大学 |
Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長 ○深澤研介・長瀬 剛・増田裕一郎・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2016-45 |
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって,c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] |
EID2016-45 pp.125-128 |
ITE-IDY, IEE-EDD (共催) IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2017-01-27 11:42 |
徳島 |
徳島大学 |
Gaの窒化によるGaN粉末の作製と発光特性 ○清水乙生・伊藤亜純・光野徹也・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2016-46 |
[more] |
EID2016-46 pp.129-132 |
MW, ED (共催) |
2017-01-27 11:20 |
東京 |
機械振興会館地下2階1号室 |
GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治(三菱電機) ED2016-106 MW2016-182 |
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する. 本スイッチにはSi基板上に... [more] |
ED2016-106 MW2016-182 pp.53-56 |