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講演検索結果
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 53件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:30
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]第一原理計算を用いた希土類添加Sr2MgSi2O7蛍光体の準位の評価
上川純平矢部健心藤間信久小南裕子原 和彦静岡大EID2023-6
 [more] EID2023-6
pp.17-20
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2023-01-27
15:15
ONLINE オンライン開催 (Webex) ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果
田中京輔奈良俊宏矢ヶ崎 司伊藤里樹光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2022-7
原料に酢酸化物を用いるミストCVD法により,a面サファイア基板上に, (Zn,Mg)O混晶中にZnOナノ粒子を分散させた... [more] EID2022-7
pp.13-16
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2023-01-27
15:25
ONLINE オンライン開催 (Webex) 六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化
大石泰己渡邊泰良田中佑樹増田克仁吉岡 陸増田希良里小南裕子原 和彦静岡大EID2022-8
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 (CVD) を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN... [more] EID2022-8
pp.17-20
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:05
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長
名嘉眞朝泰松下一貴渡邊泰良小南裕子原 和彦静岡大
BCl3とNH3を原料とする減圧化学気相法(CVD)を用いて、c面サファイアおよびSi (111)基板上へ六方晶窒化ホウ... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-23
13:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]ZnO系ナノ粒子分散薄膜のミストCVD
大城巨暉小野田翔悟奈良俊宏小南裕子原 和彦静岡大
新規の蛍光体応用のための材料としてナノ粒子分散半導体薄膜を提案し,その一例として,ZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
10:05
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]YAG:Ce蛍光体における遷移金属添加の発光特性に及ぼす影響
有村充生川嶋智寛小南裕子原 和彦静岡大
白色LED用蛍光体として広く受けいれられているYAG:Ce蛍光体に遷移金属を共添加した試料を作製し、発光特性、残光特性に... [more]
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
10:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]熱拡散により作製した深紫外発光ZnAl2O4薄膜の膜質評価
今川海斗園田直樹小南裕子原 和彦静岡大
スパッタリング法により、サファイア基板上にZnO膜を堆積させ、熱拡散によりZnAl2O4薄膜を作製した。電子線励起発光測... [more]
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
10:30
静岡 静岡大学(浜松) ミストCVD法によりc面サファイア基板上に高温下で成長したZnO結晶の発光特性
大橋紘誠藤原健八山本幹大原 和彦静岡大)・酒井 優山梨大)・光野徹也静岡大ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77
 [more] ED2019-34 CPM2019-53 LQE2019-77
pp.5-8
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2019-01-25
09:35
鹿児島 鹿児島大学 稲盛会館 ZnMgO薄膜のミストCVDにおける原料の比較
渡井大貴大城巨暉小野田翔悟楠原穂高原 和彦小南裕子静岡大
 [more]
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2018-07-19
15:00
北海道 洞爺観光ホテル 小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA
神岡 純桑田英悟中原和彦加茂宣卓半谷政毅新庄真太郎三菱電機EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC (Monolithic Microwave Int... [more] EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
pp.119-124
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
13:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス c面サファイア基板上における六方晶BN薄膜の減圧CVD成長機構
川原崎 匠梅原直己名嘉眞朝泰小南裕子原 和彦静岡大EID2017-30
BCl3とNH3を原料とする化学気相法を用いて,c面サファイア基板上に六方晶窒化ホウ素(h-BN)薄膜の作製を行った。ま... [more] EID2017-30
pp.1-4
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
13:40
静岡 静岡大学 浜松キャンパス Ga蒸気を用いる化学気相法により成長したGaN薄膜の発光特性
増田裕一郎長瀬 剛国枝 航光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2017-31
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法(CVD)により,c面サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)薄膜の... [more] EID2017-31
pp.5-8
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
13:50
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 有機材料薄膜形成における蒸着速度と膜厚分布の関係
久保田 暁小南裕子原 和彦中西洋一郎静岡大)・松本鐘三青島洋一エイエルエステクノロジーEID2017-32
 [more] EID2017-32
pp.9-12
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:00
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 紫外発光混晶アルミン酸亜鉛蛍光体の発光特性
松浦大河小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2017-33
スピネル構造をもつアルミン酸亜鉛(ZnAl2O4)のAlサイトをGaで置換することでバンドギャップを制御し、発光波長を制... [more] EID2017-33
pp.13-16
MW 2017-11-09
14:20
沖縄 宮古島マリンターミナルビル GaAs出力整合回路を用いたX帯30W級GaN-on-Si MMIC増幅器
神岡 純河村由文中原和彦岡崎拓行半谷政毅山中宏治三菱電機MW2017-122
 [more] MW2017-122
pp.57-60
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2017-01-26
15:47
徳島 徳島大学 長残光用SrAl2O4:Eu,Dy蛍光体の劣化機構
大川雅人小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2016-38
蓄光顔料SrAl2O4:Eu,Dyを含む3種類の長残光用蛍光体を浸水曝露し、水分および熱による劣化と発光特性の変化につい... [more] EID2016-38
pp.53-56
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2017-01-27
11:10
徳島 徳島大学 アルカリ土類金属元素添加長残光用アルミン酸ストロンチウムの構造及び発光特性
赤堀太一羽田京右小南裕子中西洋一郎原 和彦静岡大EID2016-42
 [more] EID2016-42
pp.113-116
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2017-01-27
11:34
徳島 徳島大学 Ga蒸気を用いる化学気相法によるGaN薄膜の成長
深澤研介長瀬 剛増田裕一郎光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2016-45
Ga蒸気とNH3ガスを原料として用いた化学気相成長法によって,c面サファイア基板上に窒化ガリウム (GaN)薄膜の成長を... [more] EID2016-45
pp.125-128
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2017-01-27
11:42
徳島 徳島大学 Gaの窒化によるGaN粉末の作製と発光特性
清水乙生伊藤亜純光野徹也小南裕子原 和彦静岡大EID2016-46
 [more] EID2016-46
pp.129-132
MW, ED
(共催)
2017-01-27
11:20
東京 機械振興会館地下2階1号室 GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ
幸丸竜太半谷政毅中原和彦岡崎拓行山中宏治三菱電機ED2016-106 MW2016-182
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する. 本スイッチにはSi基板上に... [more] ED2016-106 MW2016-182
pp.53-56
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