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 21件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2019-11-21
16:35
東京 機械振興会館 エレクトロスプレースラスタの高密度エミッタアレイ作製とイオン引き出し実験
鈴木貫太横浜国大/産総研)・井上直樹横浜国大)・長尾昌善村上勝久産総研)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構)・鷹尾祥典横浜国大
 [more] ED2019-67
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
13:40
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価
柳 永勛田中宏幸産総研)・古賀和博佐藤和重MINIMAL)・クンプアン ソマワン長尾昌善松川 貴原 史朗産総研
本研究では,ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い,ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上... [more] SDM2018-30 ICD2018-17
pp.25-30
ED 2017-10-27
11:15
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 微小電子源の作製技術を利用した超小型エレクトロスプレースラスタの試作
村上勝久長尾昌善産総研)・井上直樹鷹尾祥典横浜国大)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構
 [more] ED2017-47
pp.47-50
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2017-33 ICD2017-21
pp.13-16
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
SDM 2016-10-26
16:10
宮城 東北大学未来研 [招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] SDM2016-72
pp.21-25
ED 2016-10-25
16:35
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) ミニマルファブを活用した微小電子源の作製
長尾昌善村上勝久辰巳憲之クンプアン ソマワン原 史朗産総研)・後藤康仁京大
 [more] ED2016-50
pp.31-36
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
10:55
熊本 熊本市 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子小林正治平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] SDM2015-67 ICD2015-36
pp.53-57
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] SDM2014-72 ICD2014-41
pp.55-58
ICD 2014-04-18
09:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技研組合)・水谷朋子平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] ICD2014-11
pp.53-57
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2013-11-27
13:00
鹿児島 鹿児島県文化センター [招待講演]ミニマルファブ構想 ~ 真に自由なデバイスづくり ~
原 史朗前川 仁池田伸一中野 禅クンプアン ソマワン産総研
 [more]
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:00
富山 富山県民会館 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価
水谷朋子Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-Selete
 [more] SDM2011-83 ICD2011-51
pp.65-68
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:25
富山 富山県民会館 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
Anil Kumar水谷朋子東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-Selete
 [more] SDM2011-84 ICD2011-52
pp.69-73
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:20
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-Selete
 [more] SDM2010-144 ICD2010-59
pp.111-114
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:00
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-Selete
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] SDM2010-150 ICD2010-65
pp.143-148
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
14:00
東京 機械振興会館 [特別講演]微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向
平本俊郎東大/MIRAI-Selete)・竹内 潔角村貴昭MIRAI-Selete)・Arifin T.P.東大)・西田彰男蒲原史朗MIRAI-Selete
微細トランジスタの特性ばらつきは,半導体技術のおける最大の問題の一つである.最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] SDM2008-135 ICD2008-45
pp.41-46
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
15:25
北海道 北海道大学 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
倉田英明大津賀一雄小田部 晃梶山新也長部太郎笹子佳孝日立)・鳴海俊一冨上健司蒲原史朗土屋 修ルネサステクノロジ
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more] SDM2006-153 ICD2006-107
pp.161-166
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