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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
11:00
愛知 名古屋大学 VBL3F NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価
細井卓治Kidist Moges阪大)・染谷 満産総研)・志村考功阪大)・原田信介産総研)・渡部平司阪大
 [more] SDM2019-25
pp.1-4
SDM 2013-06-18
17:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田享英筑波大)・岡本光央小杉亮治産総研)・荒井 亮佐藤嘉洋筑波大)・原田信介奥村 元産総研)・牧野高紘大島 武原子力機構
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして... [more] SDM2013-64
pp.101-105
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