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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）  ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| ED | 2009-04-24 09:50 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術 ○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆（東北大）・末光眞希（東北大/JST） ED2009-10 |
近年，産業への適応性から，SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている．しか... [more] | ED2009-10 pp.39-43 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大） ED2008-224 SDM2008-216 |
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術として... [more] | ED2008-224 SDM2008-216 pp.1-6 |
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