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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
09:55
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
加藤正史市川義人市村正也名工大)・木本恒暢京大
表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に... [more] ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18
pp.51-54
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:20
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗市川義人名工大)・伊藤健治冨田一義成田哲生豊田中研)・加地 徹名大)・加藤正史名工大
 [more] ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
pp.55-58
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価
小濱公洋森 祐人加藤正史市村正也名工大
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32
pp.71-76
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
13:20
愛知 名古屋大学VBL3階 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴加藤正史市村正也名工大
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36
pp.101-104
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
13:40
愛知 名古屋大学VBL3階 高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 ~ キャリアライフタイムの正確な評価に向けて ~
加藤正史森 祐人市村正也名工大
 [more] ED2014-39 CPM2014-22 SDM2014-37
pp.105-108
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
13:30
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価
森 祐人加藤正史市村正也名工大
SiCを用いた超高耐圧のバイポーラデバイスにおいて,キャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、... [more] ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23
pp.1-6
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
13:55
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み
中根浩貴加藤正史市村正也名工大)・大島 武原子力機構
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24
pp.7-12
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
14:55
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価
三宅景子安田智成加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40
pp.93-98
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
15:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか
榊原宏武和田耕司加藤正史市村正也名工大
 [more] ED2012-131 SDM2012-160
pp.19-24
EA, SP, SIP
(共催)
2012-05-24
14:10
大阪 大阪大学中之島センター オールパスフィルタの付加によるダクト用ANC回路の性能向上
兵藤 樹朝倉 岳塚田 究加藤正史名工大
ダクトにおける低周波騒音を低減する手法としてアクティブノイズコントロール(ANC)が知られており,我々はアナログ回路によ... [more] EA2012-12 SIP2012-12 SP2012-12
pp.65-69
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
11:15
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価
吉原一輝加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33
pp.67-72
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
10:25
愛知 名古屋大学 VBL 自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性
加藤正史吉田敦史市村正也名工大
SiCによる超高耐圧デバイス作製において,キャリアライフタイム制御は必須であるが,SiCでは表面再結合速度に関する報告が... [more] ED2011-4 CPM2011-11 SDM2011-17
pp.15-20
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
10:50
愛知 名古屋大学 VBL 3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価
吉田敦史加藤正史市村正也名工大
3C-SiCは低損失・高耐圧のパワーデバイスへの応用が期待されている材料である.しかし3C-SiCのパワーデバイスへの実... [more] ED2011-5 CPM2011-12 SDM2011-18
pp.21-26
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
11:15
愛知 名古屋大学 VBL 水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価
安田智成加藤正史市村正也名工大
太陽光を利用した水の光分解による水素生成は次世代エネルギー技術として期待されている。水の光分解材料には半導体が用いられる... [more] ED2011-6 CPM2011-13 SDM2011-19
pp.27-31
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
11:40
愛知 名古屋大学 VBL 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善
木村允哉加藤正史市村正也名工大
 [more] ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20
pp.33-38
EA, SIP, SP
(共催)
2009-05-28
16:00
兵庫 兵庫県立大学 アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
加藤正史小野田皓司田中俊弘名工大
ダクト内騒音を除去するアクティブノイズコントロール(ANC)は従来デジタル信号処理により利用されてきたが,信号処理に必要... [more] EA2009-6 SIP2009-6 SP2009-11
pp.29-33
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
15:35
北海道 かでる2・7(札幌) 電気化学堆積を用いた4H-SiCにおける低ショットキー障壁領域の可視化手法
加藤正史小野英則小川和也市村正也名工大
4H-SiC Schottky diodes are promising devices for the applica... [more] ED2008-108 SDM2008-127
pp.357-361
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
14:40
愛知 名古屋工業大学 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法
小野英則小川和也加藤正史市村正也名工大
4H-SiCショットキーダイオードは高速,高耐圧の整流器への応用が期待されている.しかし,SiCショットキーダイオードに... [more] ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39
pp.89-94
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
15:05
愛知 名古屋工業大学 マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価
松下由憲加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
SiCは高出力,高周波デバイスの材料として注目されている.実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙... [more] ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40
pp.95-100
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
15:30
愛知 名古屋工業大学 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価
鬼頭孝輔加藤正史市村正也名工大
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41
pp.101-106
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