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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IN, NS
(併催)
2023-03-02
14:20
沖縄 沖縄コンベンションセンター + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
陸上アクセスネットワークのための広角度ビーム方向制御機構付光空間通信システム
長谷川洋平鴨居 敦水本尚志今井 浩相薗正樹加藤剛史NECNS2022-195
本稿では,陸上アクセスネットワークのための光空間通信(FSO)システムを提案する.提案システムは,光ビームを広角度に調整... [more] NS2022-195
pp.163-168
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2022-12-08
13:55
愛媛 愛媛大学 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転
潘 達曹 哲大島大輝加藤剛志名大MRIS2022-19
3次元磁気メモリ素子開発を目指し,垂直磁化Co/Pd膜の電流誘起磁化反転を検討した. Ruを介して人工積層フェリ磁性(S... [more] MRIS2022-19
pp.7-10
CPM 2016-10-05
13:55
東京 機械振興会館 Si基板上へのMnGa(001)配向膜の作製とイオン照射による磁気パターニング
石川 徹根来 翼福田憲吾大島大輝加藤剛志岩田 聡名大CPM2016-57
熱酸化膜付きSi基板上に(001)配向したL10-MnGa膜の成膜を試み,その構造と磁気特性をMgO(001)単結晶基板... [more] CPM2016-57
pp.13-17
CPM 2015-11-07
09:20
新潟 まちなかキャンパス長岡 基板による応力のNd0.5Bi2.5Fe4GaO12薄膜の磁気異方性への影響
箸中貴大佐々木教真石橋隆幸長岡技科大)・加藤剛志岩田 聡名大)・谷山智康東工大CPM2015-94
我々は、有機金属分解 (Metal Organic Decomposition : MOD) 法によりGd3Ga5O12... [more] CPM2015-94
pp.51-54
CPM 2015-10-14
13:55
東京 機械振興会館 MOD法によりガラス基板上へ作製したNd0.5Bi2.5Fe5-yGayO12 (y = 0-1) 薄膜の磁気異方性
婁 庚健佐々木教真長岡技科大)・加藤剛志岩田 聡名大)・石橋隆幸長岡技科大CPM2015-78
可視光領域で大きな磁気光学効果を有するBi置換磁性ガーネットは,空間光変調器などの磁気光学デバイス用材料として期待されて... [more] CPM2015-78
pp.9-12
CPM 2015-10-14
14:20
東京 機械振興会館 超高密度イオン照射ビットパターン媒体実現のためのMnGa膜の薄膜化
松永隆雅福田憲吾大島大輝加藤剛志岩田 聡名大)・綱島 滋名古屋産業科学研CPM2015-79
 [more] CPM2015-79
pp.13-16
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-22
11:25
石川 金沢能楽美術館 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ
為村成亨菊地健司宮川和典大竹 浩久保田 節NHK)・中田時夫東京理科大)・沖野 徹廣瀬 裕加藤剛久パナソニック)・寺西信一兵庫県立大LQE2015-13
結晶セレン(crystalline selenium: c-Se)を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサ... [more] LQE2015-13
pp.63-67
SIS 2015-03-05
14:55
東京 明治大学中野キャンパス(東京) 適応的メジアンカットによる減色処理に基づいたGIFアニメーションの作成
加藤 剛佐藤唯菜上田千晶末竹規哲内野英治山口大SIS2014-100
本報告では,なるべく画質を損なわずに動画からGIFアニメーションを作成するために,誤差拡散法と減色処理に基づいた手法を提... [more] SIS2014-100
pp.51-55
CPM 2014-10-08
14:45
東京 機械振興会館 Ag添加した(001)配向CoPt,CoPd膜の構造と磁気特性
永田太洋徳岡良浩大島大輝加藤剛志岩田 聡名大CPM2014-95
MBE法によりCoPt-Ag,CoPd-Agを成膜し,それらの結晶構造,表面構造,垂直磁気異方性について調査した.CoP... [more] CPM2014-95
pp.17-20
SIS, IPSJ-AVM
(連催)
2013-09-12
13:55
東京 早稲田大学早稲田キャンパス 最小全域木に基づく空間充填曲線を利用した一次元スイッチングメディアンフィルタによるインパルスノイズ除去
古賀崇了徳山高専)・末竹規哲加藤 剛内野英治山口大SIS2013-19
スイッチングメディアンフィルタは,画像中のエッジを保存したまま,画像に重畳したインパルスノイズを除去することができる.こ... [more] SIS2013-19
pp.27-32
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-03-08
15:50
愛知 名古屋大学 TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転
藤澤佑樹吉川大貴加藤剛志岩田 聡名大)・綱島 滋名古屋産業科学研MR2012-50
大きな垂直磁気異方性を有し, 低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd] / MgO / TbFe垂直磁気... [more] MR2012-50
pp.33-37
CPM 2012-09-25
13:30
東京 機械振興会館 規則合金膜へのイオン照射による磁気特性制御とビットパターン構造の作製
大島大輝谷本昌大加藤剛志岩田 聡名大)・綱島 滋名古屋産業科学研CPM2012-86
我々はこれまでに,L12-CrPt3規則合金膜に30 keVのKr+イオン照射を行うことでその磁気特性が容易に制御できる... [more] CPM2012-86
pp.5-9
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2012-03-16
16:10
愛知 名古屋大学 MBE 成長したFePt-AgおよびFePd-Agグラニュラー膜の垂直磁気異方性と構造
瀬戸陽介池田遼太加藤剛志岩田 聡名大MR2011-47
MBE法によりMgO(001)基板上にFePt-Ag合金膜を作製し,その結晶および表面構造と垂直磁気異方性の関係を調べた... [more] MR2011-47
pp.39-42
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2011-03-11
16:45
愛知 名古屋大学 TbFe層を用いた垂直磁化MTJの熱アシスト磁化反転
野田晃司藤澤佑樹加藤剛志岩田 聡名大)・綱島 滋名古屋産業科学研MR2010-63
希土類-遷移金属(RE-TM)膜をメモリー層とした垂直磁化型のTbFe / CoFeB / Al-O / [Co/Pd]... [more] MR2010-63
pp.47-51
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-10-14
15:45
秋田 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 CrPt3規則合金膜へのイオン照射による微細ビットパターン構造の作製
加藤剛志大島大輝名大)・Edi Suharyadi名大/学振)・岩田 聡名大MR2010-26
CrPt3規則合金膜へ30 keVのKr+イオンを照射することで,CrPt3膜はL12型の規則相からA1型不規則相へ相変... [more] MR2010-26
pp.25-29
ITS 2010-07-28
16:10
愛知 愛知工科大学 ワイパ払拭性能の新しい評価手法についての検討 ~ 視認性による前方視界の評価 ~
加藤剛資中野倫明山本 新山田宗男名城大)・土井裕太アスモITS2010-15
 [more] ITS2010-15
pp.55-60
IE 2010-04-26
13:25
栃木 宇都宮大学工学部 VV符号によるMPEG圧縮ファイルのロスレス再符号化方式の基本検討
大関和夫加藤 剛魏 遠玉芝浦工大IE2010-6
本報告では,符号化方式データの再圧縮を,入力を可変の長さで区切り,符号化も可変長になる様な一般的な場合,V-Vに拡張する... [more] IE2010-6
pp.31-36
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2010-03-12
14:30
愛知 名古屋大学 Kr+イオン照射によるMnBi薄膜の構造変化と磁気特性制御
徐 倩茜加藤剛志岩田 聡綱島 滋名大MR2009-62
マグネトロンスパッタ成膜と350˚Cの熱処理により作成したMnBi (15 nm)膜に30 keVのKr+イオ... [more] MR2009-62
pp.21-26
ED 2009-04-23
15:30
宮城 東北大学電気通信研究所 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ
金子幸広田中浩之加藤剛久嶋田恭博パナソニックED2009-5
微細化可能な新規不揮発性メモリとして,酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した.SrTiO3... [more] ED2009-5
pp.17-22
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2009-03-06
16:45
愛知 名古屋大学 CrPt3規則合金膜を利用したイオン照射型ビットパターンメディア
山内幸大・○大島大輝加藤剛志岩田 聡綱島 滋名大)・松本幸治森河 剛山形富士通)・尾崎一幸富士通研MR2008-68
マグネトロンスパッタ製膜後熱処理することで作製したCrPt3規則合金膜(20 nm厚)にKr+,Ar+イオン等を照射し,... [more] MR2008-68
pp.35-39
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