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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2024-03-01 09:00 |
岡山 | 岡山県立大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器 ○山下晋平・河村由文・中谷圭吾・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）  MW2023-186 |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器MMICの試作結果を報... [more] | MW2023-186 pp.62-65 |
| MW | 2024-03-01 09:25 |
岡山 | 岡山県立大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Beyond 5G向け3逓倍器方式100GHz帯GaN送信モジュール ○河村由文・山下晋平・中谷圭吾・山中宏治・加茂宣卓・堀口健一・國井徹郎・天清宗山（三菱電機） MW2023-187 |
Beyond 5G(B5G)では、5Gの10倍以上の超高速・大容量通信を目標として掲げている。その超高速・大容量通信を実... [more] | MW2023-187 pp.66-69 |
| MW, AP (併催) |
2023-09-28 10:10 |
高知 | 高知城歴史博物館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-81 |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する．広帯域化と低雑音化を両立... [more] | MW2023-81 pp.7-10 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 11:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
不等間隔くし形安定化回路を用いたX帯600W超高出力IM-FET ○桑田英悟・杉谷拓海・山崎貴嗣・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） ED2022-90 MW2022-149 |
[more] | ED2022-90 MW2022-149 pp.25-28 |
| MW | 2019-11-14 16:40 |
沖縄 | 南大東村多目的交流センター | バンドパスフィルタ構造を有する分布型増幅器を用いた2.5-10 GHz GaN MMIC HPA ○神岡 純・半谷政毅・三輪真一・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） MW2019-108 |
広帯域化に向けてバンドパスフィルタ構造を有する分布型増幅器を提案し，設計手法を示した．また，提案の分布型増幅器を用いて2... [more] | MW2019-108 pp.47-51 |
| EST, MW, OPE, MWP, EMT (共催) IEE-EMT, THz (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-07-19 15:00 |
北海道 | 洞爺観光ホテル | 小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA ○神岡 純・桑田英悟・中原和彦・加茂宣卓・半谷政毅・新庄真太郎（三菱電機） EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28 |
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC (Monolithic Microwave Int... [more] | EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28 pp.119-124 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器 ○桑田英悟・杉本篤夫・小山英寿・加茂宣卓・幸丸竜太・山中宏治（三菱電機） ED2016-110 MW2016-186 |
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている．この高電圧半導体にマッチした，小型な回路でインピーダ... [more] | ED2016-110 MW2016-186 pp.75-79 |
| ED | 2016-01-20 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 ○渡辺伸介・今井翔平・桑田英悟・小山英寿・加茂宣卓・山本佳嗣（三菱電機） ED2015-119 |
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] | ED2015-119 pp.43-48 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング ○山口裕太郎・南條拓真・小山英寿・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） ED2014-129 MW2014-193 |
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] | ED2014-129 MW2014-193 pp.71-76 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:00 |
北海道 | 室蘭工業大 | 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器 ○坂田修一・桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・小山英寿・加茂宣卓・福本 宏（三菱電機） MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 |
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] | MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11 pp.1-5 |
| MW, OPE, EMT, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-07-17 10:25 |
北海道 | 室蘭工業大 | 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・坂田修一・小山英寿・加茂宣卓・安藤晃洋・中原和彦・福本 宏（三菱電機） MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 |
[more] | MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12 pp.7-10 |
| MW | 2014-03-05 14:20 |
愛媛 | 愛媛大学 | 入力および出力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 ○内田浩光・半谷政毅・山中宏治・福本 宏・菊池信宏・小山英寿・加茂宣卓（三菱電機） MW2013-219 |
[more] | MW2013-219 pp.129-132 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析 ○林 一夫・大石敏之・加茂宣卓・山口裕太郎・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）・宮本恭幸（東工大） ED2012-125 MW2012-155 |
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について，実測とTCADシミュレーションの両方から解析した．まず，ピンチ... [more] | ED2012-125 MW2012-155 pp.69-74 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-15 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ ○半谷政毅・垂井幸宣・加茂宣卓・檜枝護重（三菱電機） ED2009-194 MW2009-177 |
X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した．本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構... [more] | ED2009-194 MW2009-177 pp.111-115 |
| MW | 2008-06-27 14:50 |
愛知 | 豊橋技科大 | 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討 ○山中宏治・能登一二三・木村実人・山内和久・加茂宣卓・桑田英悟・大塚浩志・井上 晃（三菱電機） MW2008-44 |
高調波処理（高調波整合）によるGaN HEMTの高効率動作について報告する．GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] | MW2008-44 pp.69-74 |
| MW | 2007-09-05 17:20 |
栃木 | 宇都宮大 | 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ ○半谷政毅・西野 有・加茂宣卓・宮崎守泰（三菱電機） MW2007-94 |
近年，高耐圧GaAsやGaNなど，高耐圧FETに関する研究が進んでいる．今回，遮断状態における耐電力がFETの耐圧および... [more] | MW2007-94 pp.71-75 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT ○國井徹郎・戸塚正裕・加茂宣卓・山本佳嗣・竹内日出雄・島田好治・志賀俊彦・巳浪裕之・北野俊明・宮国晋一・中塚茂典・井上 晃・奥 友希・南條拓真・大石敏之（三菱電機） |
[more] | ED2004-216 MW2004-223 pp.25-30 |
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