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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW 2019-11-14
16:40
沖縄 南大東村多目的交流センター バンドパスフィルタ構造を有する分布型増幅器を用いた2.5-10 GHz GaN MMIC HPA
神岡 純半谷政毅三輪真一加茂宣卓新庄真太郎三菱電機MW2019-108
広帯域化に向けてバンドパスフィルタ構造を有する分布型増幅器を提案し,設計手法を示した.また,提案の分布型増幅器を用いて2... [more] MW2019-108
pp.47-51
EST, MW, OPE, MWP, EMT
(共催)
IEE-EMT, THz
(連催) [詳細]
2018-07-19
15:00
北海道 洞爺観光ホテル 小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC HPA
神岡 純桑田英悟中原和彦加茂宣卓半谷政毅新庄真太郎三菱電機EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
小型スプリアス抑圧フィルタを有する高効率X帯26W GaN MMIC (Monolithic Microwave Int... [more] EMT2018-29 MW2018-44 OPE2018-32 EST2018-27 MWP2018-28
pp.119-124
MW, ED
(共催)
2017-01-27
14:25
東京 機械振興会館地下2階1号室 直並列インダクタンス型広帯域プリマッチ回路を適用したC-Ku帯10W級GaN高出力高効率広帯域MMIC増幅器
桑田英悟杉本篤夫小山英寿加茂宣卓幸丸竜太山中宏治三菱電機ED2016-110 MW2016-186
高周波半導体の高電圧化により高周波増幅器の高出力化が進められている.この高電圧半導体にマッチした,小型な回路でインピーダ... [more] ED2016-110 MW2016-186
pp.75-79
ED 2016-01-20
15:30
東京 機械振興会館 GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析
渡辺伸介今井翔平桑田英悟小山英寿加茂宣卓山本佳嗣三菱電機ED2015-119
GaN HEMTのユニットセルトランジスタにおいて、ミリ波帯の発振が観測された。この発振を抑制すべくトランジスタに対して... [more] ED2015-119
pp.43-48
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:30
東京 機械振興会館 過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング
山口裕太郎南條拓真小山英寿加茂宣卓山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大ED2014-129 MW2014-193
GaNHEMTのバッファに位置するトラップの物理メカニズムに関して過渡応答測定とTCADシミュレーションを用いて実験と計... [more] ED2014-129 MW2014-193
pp.71-76
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-17
10:00
北海道 室蘭工業大 広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器
坂田修一桑田英悟山中宏治桐越 祐小山英寿加茂宣卓福本 宏三菱電機MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11
GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を... [more] MW2014-53 OPE2014-22 EST2014-14 MWP2014-11
pp.1-5
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-17
10:25
北海道 室蘭工業大 2倍波抑圧回路を有するX帯高効率高出力増幅器
桑田英悟山中宏治坂田修一小山英寿加茂宣卓安藤晃洋中原和彦福本 宏三菱電機MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12
 [more] MW2014-54 OPE2014-23 EST2014-15 MWP2014-12
pp.7-10
MW 2014-03-05
14:20
愛媛 愛媛大学 入力および出力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器
内田浩光半谷政毅山中宏治福本 宏菊池信宏小山英寿加茂宣卓三菱電機MW2013-219
 [more] MW2013-219
pp.129-132
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:30
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
林 一夫大石敏之加茂宣卓山口裕太郎大塚浩志山中宏治中山正敏三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2012-125 MW2012-155
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチ... [more] ED2012-125 MW2012-155
pp.69-74
ED, MW
(共催)
2010-01-15
11:20
東京 機械振興会館 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ
半谷政毅垂井幸宣加茂宣卓檜枝護重三菱電機ED2009-194 MW2009-177
X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構... [more] ED2009-194 MW2009-177
pp.111-115
MW 2008-06-27
14:50
愛知 豊橋技科大 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討
山中宏治能登一二三木村実人山内和久加茂宣卓桑田英悟大塚浩志井上 晃三菱電機MW2008-44
高調波処理(高調波整合)によるGaN HEMTの高効率動作について報告する.GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] MW2008-44
pp.69-74
MW 2007-09-05
17:20
栃木 宇都宮大 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ
半谷政毅西野 有加茂宣卓宮崎守泰三菱電機MW2007-94
近年,高耐圧GaAsやGaNなど,高耐圧FETに関する研究が進んでいる.今回,遮断状態における耐電力がFETの耐圧および... [more] MW2007-94
pp.71-75
MW, ED
(共催)
2005-01-18
11:10
東京 機械振興会館 Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT
國井徹郎戸塚正裕加茂宣卓山本佳嗣竹内日出雄島田好治志賀俊彦巳浪裕之北野俊明宮国晋一中塚茂典井上 晃奥 友希南條拓真大石敏之三菱電機
 [more] ED2004-216 MW2004-223
pp.25-30
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