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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:20
静岡 静岡大学(浜松) ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価
山田真嗣櫻井秀樹名大/アルバック)・長田大和中村敏幸上村隆一郎アルバック)・須田 淳加地 徹名大
GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現するための要素プロセス技術の一つである誘導結合型プラズマ反応性イオン... [more] ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83
pp.33-35
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:20
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗市川義人名工大)・伊藤健治冨田一義成田哲生豊田中研)・加地 徹名大)・加藤正史名工大
 [more] ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
pp.55-58
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
13:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価
澤田直暉京大)・成田哲生加地 徹上杉 勉豊田中研)・堀田昌宏須田 淳京大
 [more] ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105
pp.27-32
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
09:50
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価
加地 徹上杉 勉豊田中研
 [more] ED2012-28 CPM2012-12 SDM2012-30
pp.53-56
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
10:25
大阪 阪大 中ノ島センター 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
菊田大悟成田哲生高橋直子片岡恵太木本康司上杉 勉加地 徹豊田中研)・杉本雅裕トヨタ自動車
p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を... [more] ED2010-155 CPM2010-121 LQE2010-111
pp.59-62
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
11:05
東京 東工大 大岡山キャンパス Characteristics of GaN p-n diode with damage layer induced by ICP plasma process
Tsutomu UesugiTetsu KachiToyota Central R&D Labs.)・Tamotsu HashizumeHokkaido Univ.
 [more] ED2010-108 SDM2010-109
pp.253-256
ED 2008-10-23
14:15
福岡 九州工業大学 GaN縦型パワーデバイスの最近の進展
加地 徹豊田中研
 [more] ED2008-147
pp.133-138
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
09:25
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]Recent Advances on GaN Vertical Power Device
Tetsu KachiToyota Central R&D Labs., Inc.
Two types of the vertical device structure have been develo... [more] ED2008-72 SDM2008-91
pp.171-175
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
13:50
福井 福井大学 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
pp.85-88
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:30
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes
Masashi KatoKazuki MikamoMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり,GaNの大電力素子を作製する上でp型層の形成とエッチングプ... [more]
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:55
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements
Masashi KatoKeisuke FukushimaMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-24
14:50
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価
福島圭亮加藤正史市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
11:20
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
加藤正史三鴨一輝市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more]
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