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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-12-07
11:30
京都 京都大学(桂) DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討
前野尚子松尾直人山名一成部家 彰高田忠雄兵庫県立大SDM2012-121
我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告し... [more] SDM2012-121
pp.37-40
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