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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-10-18
13:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセン/SiO2界面特性向上に関する検討
前田康貴朴 鏡恩小松勇貴大見俊一郎東工大SDM2018-60
これまで我々は、窒素添加LaB6界面制御層によるペンタセンデバイスの特性向上に関する検討を行い、デバイス特性の向上に窒素... [more] SDM2018-60
pp.41-45
SDM 2017-10-25
16:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
前田康貴劉 野原廣木瑞葉大見俊一郎東工大SDM2017-54
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは、下層材料や堆積温度によりグレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] SDM2017-54
pp.25-30
OME, SDM
(共催)
2017-04-20
16:45
鹿児島 龍郷町生涯学習センター 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討
大見俊一郎廣木瑞葉張 鴻立前田康貴東工大SDM2017-4 OME2017-4
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクト... [more] SDM2017-4 OME2017-4
pp.15-18
SDM 2016-10-27
10:25
宮城 東北大学未来研 SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響
前田康貴廣木瑞葉大見俊一郎東工大SDM2016-74
フレキシブルデバイスやTFTなどへの応用が期待されている代表的なp型有機半導体のペンタセンは、薄膜の結晶性が下層材料の表... [more] SDM2016-74
pp.31-34
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
12:00
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 [招待講演]低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性
大見俊一郎前田康貴古山 脩廣木瑞葉東工大SDM2016-3 OME2016-3
ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示す... [more] SDM2016-3 OME2016-3
pp.11-15
SDM 2015-10-30
13:50
宮城 東北大学未来研 HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
前田康貴劉 野原大見俊一郎東工大SDM2015-80
p型有機半導体として広く知られているペンタセンは下層材料や堆積温度により、グレインの形状が大きく変化することが報告されて... [more] SDM2015-80
pp.49-52
SDM 2013-10-18
10:00
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討
前田康貴大見俊一郎東工大)・後藤哲也大見忠弘東北大SDM2013-93
低仕事関数を有するLaB6は,窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている.本研究では窒素添加したLaB6... [more] SDM2013-93
pp.27-31
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