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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-12-17 10:40 |
京都 | 京都大学(桂) | イオンチャネリングによるホイスラー合金Fe3-xMnxSi(111)/Ge(111)ヘテロエピタキシャル界面の軸配向性の評価 ○中島孝仁・松倉武偉（京大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大）  SDM2010-187 |
イオンチャネリングを用いて，エピタキシャル成長したFe3-xMnxSi(111)/Ge(111)界面の軸配向性を評価した... [more] | SDM2010-187 pp.13-17 |
| SDM | 2007-12-14 14:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 ○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） SDM2007-230 |
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて，エピタキシャル成長したFe3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した．軸配... [more] | SDM2007-230 pp.35-38 |
| SDM | 2007-12-14 14:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 共役反転格子フォトニック結晶での導波解析 ○國松俊佑（京大）・寺井慶和（阪大）・前田佳均（京大） SDM2007-231 |
b-FeSi2は屈折率が高く（n>5.2），これを用いた高屈折率フォトニック結晶は数々の性能向上が期待されている．しかし... [more] | SDM2007-231 pp.39-42 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 13:45 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製 ○國松俊佑・今井章文（京大）・秋山賢輔（神奈川県産技センター）・前田佳均（京大） |
[more] | R2006-32 ED2006-177 SDM2006-195 pp.7-10 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 14:10 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | β-FeSi2のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化 ○上西隆文・安藤裕一郎・前田佳均（京大） |
[more] | R2006-33 ED2006-178 SDM2006-196 pp.11-14 |
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