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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-02-07
09:35
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
山口 直前川径一大原隆裕天羽生 淳佃 栄次園田賢一郎柳田博史井上真雄松浦正純山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2019-89
 [more] SDM2019-89
pp.5-8
SDM 2020-01-28
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution
前川径一ルネサスSDM2019-83
 [more] SDM2019-83
pp.5-8
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-71
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
SDM 2016-10-26
16:10
宮城 東北大学未来研 [招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作
山本芳樹槇山秀樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2016-72
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] SDM2016-72
pp.21-25
ICD 2015-04-16
13:50
長野 信州大学 [依頼講演]車載MCUにおける-40~170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM
横山佳巧石井雄一郎福田達哉辻橋良樹宮西篤史ルネサス エレクトロニクス)・朝山 忍前川径一柴 和利ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスICD2015-3
40nm Flash混載CMOSプロセスを使用して、自動車アプリケーションMCU用に-40~170℃で動作するDual-... [more] ICD2015-3
pp.9-14
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