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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-11-08
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]電子デバイスの開発と教育における計算機シミュレーションの利用
内田 建東大)・田中貴久慶大SDM2018-65
ナノスケール世代における電子デバイスの開発では,量子効果を取り込み,バンド構造などを詳細に考慮した計算機シミュレーション... [more] SDM2018-65
pp.7-10
SDM 2013-11-15
10:00
東京 機械振興会館 シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計
田中千加萩島大輔東芝)・内田 建慶大)・沼田敏典東芝SDM2013-106
 [more] SDM2013-106
pp.37-42
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
11:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Thermal-Aware Device Desing of Nanoscale MOS Transistors
Ken UchidaKeio Univ.)・Tsunaki TakahashiNobuyasu BeppuTokyo Tech
The self-heating effects in Bulk/SOI FinFETs have been syste... [more]
ED, MW
(共催)
2012-01-12
10:10
東京 機械振興会館 InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
宮本恭幸山田真之内田 建東工大ED2011-129 MW2011-152
MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間... [more] ED2011-129 MW2011-152
pp.59-62
ED, SDM
(共催)
2010-07-01
11:10
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]Stress and Surface Orientation Engineering in Scaled CMOSFETs Considering High-Field Carrier Transport
Masumi SaitohYukio NakabayashiToshiba)・Ken UchidaTokyo Inst. of Tech.)・Toshinori NumataToshibaED2010-79 SDM2010-80
We present the systematic study on the performance of short-... [more] ED2010-79 SDM2010-80
pp.125-129
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
09:25
東京 機械振興会館 High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ~ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ~
小林茂樹齋藤真澄内田 建東芝SDM2008-129 ICD2008-39
Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFET... [more] SDM2008-129 ICD2008-39
pp.7-10
SDM 2008-06-09
16:50
東京 東京大学(生産研 An棟) シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
齋藤真澄小林茂樹内田 建東芝SDM2008-46
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] SDM2008-46
pp.23-27
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