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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:45
東京 機械振興会館 地下3階6号室 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製
堀切文正福原 昇サイオクス)・渡久地政周三輪和希北大)・成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2019-98 MW2019-132
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] ED2019-98 MW2019-132
pp.25-28
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
15:50
愛知 名古屋工業大学 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用
植村圭佑松本 悟渡久地政周伊藤圭亮佐藤威友北大ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
窒化物半導体に対して,光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した.GaNと電解液界面の光電気化学... [more] ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
pp.23-26
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
17:00
京都 京大桂キャンパス 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング
熊崎祐介植村圭佑佐藤威友北大ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として,電気化学加工技術の検討を行った.AlGa... [more] ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82
pp.45-50
ED 2015-08-04
12:20
東京 機械振興会館 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性
喜田弘文熊崎祐介谷田部然治佐藤威友北大ED2015-53
分光電気化学測定法を用いて,GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した.構造のもつ大きな表面積と低い光反射率... [more] ED2015-53
pp.51-54
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
 [more] ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30
pp.63-66
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
16:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
太陽電池や人工光合成等の光電極応用を目的として,電気化学的手法による多孔質構造の形成と,その光学特性の評価を行った.多孔... [more] ED2013-88 CPM2013-147 LQE2013-123
pp.113-116
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
11:20
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換
熊崎祐介神保亮平谷田部然治・○佐藤威友北大ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の光吸収特性を, pn接合基板に形成した光電流測定素子を用い... [more] ED2013-27 CPM2013-12 SDM2013-34
pp.61-64
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:00
東京 東工大 大岡山キャンパス Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices
Hiroyuki OkazakiTaketomo SatoNaoki YoshizawaTamotsu HashizumeHokkaido UnivED2010-71 SDM2010-72
 [more] ED2010-71 SDM2010-72
pp.85-89
ED 2010-06-17
13:50
石川 北陸先端大 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用
佐藤威友吉澤直樹岡崎拓行橋詰 保北大ED2010-35
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の形成条件を最適化し、孔径約100nmで深さ10ミクロン以上... [more] ED2010-35
pp.11-15
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
11:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用
佐藤威友吉澤直樹オカザキ ヒロユキ橋詰 保北大ED2009-76 SDM2009-71
We demonstrated to form InP porous structures on n-type epit... [more] ED2009-76 SDM2009-71
pp.117-120
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
15:50
北海道 かでる2・7(札幌) 電気化学的手法によるInPポーラスナノ構造の形成および機能修飾と化学センサへの応用
溝畑彰規吉澤直樹佐藤威友橋詰 保北大ED2008-102 SDM2008-121
We investigated the electrocatalytic activity of n-type InP ... [more] ED2008-102 SDM2008-121
pp.327-330
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:05
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用
佐藤威友藤野敏幸橋詰 保北大
InPポーラスナノ構造の高密度形成と,精密な寸法制御を目的とした表面エッチングを連続的に行う2段階電気化学プロセスを開発... [more]
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
17:20
滋賀 立命館大学 RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaNナノ細線ネットワークの形成
及川 武佐藤威友長谷川英機橋詰 保北大
 [more] ED2005-137 CPM2005-124 LQE2005-64
pp.89-92
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
13:00
滋賀 立命館大学 ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ
古川拓也木村 健佐藤威友葛西誠也長谷川英機橋詰 保北大
 [more] ED2005-147 CPM2005-134 LQE2005-74
pp.39-42
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