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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-06-18
17:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価
梅田享英筑波大)・岡本光央小杉亮治産総研)・荒井 亮佐藤嘉洋筑波大)・原田信介奥村 元産総研)・牧野高紘大島 武原子力機構
4H-SiC MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)はノーマリーオフ,高パワー密度,超低損失のパワーデバイスとして... [more] SDM2013-64
pp.101-105
SDM 2007-03-15
13:30
東京 機械振興会館 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
佐藤嘉洋木下健太郎能代英之青木正樹杉山芳弘富士通研
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] SDM2006-255
pp.7-10
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:00
北海道 函館国際ホテル MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM
青木正樹岩佐 拓佐藤嘉洋富士通研
我々は、1つのトランジスタと2つのMTJ素子(1T2MTJ)を組み合わせて1つのメモリセルとするMRAMの新しい回路方式... [more] SDM2005-150 ICD2005-89
pp.43-48
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