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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2010-04-22 09:00 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM ○藤村勇樹・平林 修・佐々木貴彦・鈴木 東・川澄 篤・武山泰久・櫛田桂一・深野 剛・片山 明・仁木祐介・矢部友章（東芝）  ICD2010-1 |
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] | ICD2010-1 pp.1-6 |
| ICD | 2009-04-14 10:15 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM ○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章（東芝） ICD2009-5 |
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として，ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し，... [more] | ICD2009-5 pp.21-26 |
| ICD | 2008-04-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ ○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝） ICD2008-1 |
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] | ICD2008-1 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 11:40 |
北海道 | 北海道大学 | hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について 川崎博久（東芝アメリカ電子部品）・○稲葉 聡・岡野王俊・金子明生（東芝）・八木下淳史（東芝アメリカ電子部品）・泉田貴士・金村貴永・佐々木貴彦・大塚伸朗・青木伸俊・須黒恭一・江口和弘・綱島祥隆（東芝）・石丸一成（東芝アメリカ電子部品）・石内秀美（東芝） |
[more] | SDM2006-147 ICD2006-101 pp.127-132 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:40 |
北海道 | 函館国際ホテル | FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計 ○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原 実・青木伸俊・稲葉 聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝） |
FinFETを用いたhp22nm nodeのSRAMの実現可能性について、Static Noise Margin(SNM... [more] | SDM2005-154 ICD2005-93 pp.67-72 |
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