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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2009-10-30 09:50 |
富山 | 富山県立大学 | 高濃度BドープSi/SiGeB多層膜の熱電特性 ○的場彰成・佐々木公洋（金沢大）  CPM2009-98 |
[more] | CPM2009-98 pp.43-46 |
| CPM | 2009-10-30 10:25 |
富山 | 富山県立大学 | 制限反応スパッタ法によるゲート絶縁膜用ZrO2薄膜のアニール効果の検討 ○猪阪直也・周 英・佐々木公洋（金沢大） CPM2009-99 |
[more] | CPM2009-99 pp.47-51 |
| CPM | 2006-11-10 09:00 |
石川 | 金沢大学 | IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGeの表面ラフネス制御 ○山本 純・坂口勇太・成瀬公博・佐々木公洋（金沢大） |
[more] | CPM2006-122 pp.53-57 |
| CPM | 2006-11-10 09:25 |
石川 | 金沢大学 | 劣化エピタキシャル成長したSiGe薄膜の熱電性能 ～ 基板の影響 ～ ○的場彰成・早平寿夫・都築崇博・佐々木公洋（金沢大）・岡本庸一・守本 純（防衛大） |
[more] | CPM2006-123 pp.59-63 |
| CPM | 2006-11-10 10:50 |
石川 | 金沢大学 | 制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間 ○杉山英孝・小島述央・山岸大朗・周 英・佐々木公洋（金沢大） |
[more] | CPM2006-126 pp.75-79 |
| CPM | 2006-11-10 11:15 |
石川 | 金沢大学 | 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置 ○千葉 忍（金沢大/CBC）・佐々木公洋（金沢大）・元木 詮（CBC）・畑 朋延（JST）・伊藤昭彦（芝浦メカトロニクス） |
[more] | CPM2006-127 pp.81-86 |
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