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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
R, LQE, OPE, CPM, EMD
(共催)
2020-08-28
14:55
ONLINE オンライン開催 [招待講演]高感度低偏波依存1600nm帯受光可能な導波路型Ge-APD
小野英輝OKI)・藤方潤一野口将高光電子融合基盤技研)・高橋博之伊藤正紀志村大輔八重樫浩樹佐々木浩紀OKIR2020-15 EMD2020-14 CPM2020-7 OPE2020-27 LQE2020-7
Siフォトニクス技術を用いたGe受光器は、光通信用受光素子の小型化が実現できるものの、次世代光アクセスネットワークで検討... [more] R2020-15 EMD2020-14 CPM2020-7 OPE2020-27 LQE2020-7
pp.29-32
LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT, PEM
(連催) ※学会内は併催 [詳細]
2016-01-28
11:20
兵庫 神戸市産業振興センター LED可視光を用いた光空間無線特性に関する一検討
荒尾仁也薮内 潤京都工繊大)・伊藤正紀関 昇平OKI)・大柴小枝子京都工繊大PN2015-64 EMT2015-115 OPE2015-177 LQE2015-164 EST2015-121 MWP2015-90
LED可視光通信を用いた高速光無線LAN (Li-Fi)について検討を行う, OFDM方式を可視光通信に利用することで数... [more] PN2015-64 EMT2015-115 OPE2015-177 LQE2015-164 EST2015-121 MWP2015-90
pp.189-192
PN 2015-03-19
13:00
沖縄 沖縄県青年会館 LEDを用いた可視光通信へのOFDM方式適用と通信特性に関する検討
荒尾仁也大柴小枝子京都工繊大)・伊藤正紀関 昇平OKIPN2014-93
本研究では,LED可視光通信を無線LAN等へのモバイル通信への適用を目指し,数十~数百Mbps以上の高速通信を行うことを... [more] PN2014-93
pp.93-97
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-17
13:25
北海道 室蘭工業大 無線と光伝送融合に向けたRoF伝送特性の電気光・光電気変換部に関する一検討
伊藤正紀OKI)・大柴小枝子京都工繊大)・関 昇平OKIMW2014-58 OPE2014-27 EST2014-19 MWP2014-16
 [more] MW2014-58 OPE2014-27 EST2014-19 MWP2014-16
pp.29-34
CS, IE
(共催)
IPSJ-AVM, ITE-BCT
(連催) [詳細]
2013-12-06
10:10
京都 京都工芸繊維大学 60周年記念館 光有無線融合システムにおけるOFDM信号の多重伝送特性に関する検討
今井一貴大柴小枝子京都工繊大)・伊藤正紀関 昇平OKICS2013-78 IE2013-89
Wi-Fi規格(IEEE.802.11a)を用いたOFDM変調の無線信号を光信号に変換し、光ファイバ無線(Radio o... [more] CS2013-78 IE2013-89
pp.125-128
PN 2013-03-12
15:15
沖縄 沖縄県青年会館 光有無線融合技術システムにおけるWi-Fi on Fiber伝送特性の検討
今井一貴大柴小枝子京都工繊大)・伊藤正紀関 昇平OKIPN2012-91
Wi-Fi規格のOFDM変調された無線信号を光信号に変換し、光ファイバ中を伝送させる光ファイバ無線(RoF)について検討... [more] PN2012-91
pp.75-78
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
15:00
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性
星 真一伊藤正紀丸井俊治大来英之森野芳昭玉井 功戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136
pp.139-144
ED 2009-06-12
11:00
東京 東京工業大学 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性
丸井俊治星 真一戸田典彦森野芳昭伊藤正紀大来英之玉井 功関 昇平OKIED2009-47
近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlG... [more] ED2009-47
pp.57-62
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:50
北海道 かでる2・7(札幌) 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT
大来英之星 真一丸井俊治伊藤正紀戸田典彦森野芳昭玉井 功佐野芳明関 昇平OKIED2008-105 SDM2008-124
 [more] ED2008-105 SDM2008-124
pp.341-345
ED, MW
(共催)
2008-01-16
13:50
東京 機械振興会館 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響
丸井俊治星 真一森野芳昭伊藤正紀玉井 功戸田典彦大来英之佐野芳明関 昇平OKIED2007-208 MW2007-139
AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面... [more] ED2007-208 MW2007-139
pp.11-15
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
13:50
京都 京都大学 Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
大来英之見田充郎佐野芳明丸井俊治伊藤正紀星 真一戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大
 [more] ED2006-154 CPM2006-91 LQE2006-58
pp.13-18
ED, MW
(共催)
2006-01-19
13:45
東京 機械振興会館 リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT
見田充郎海部勝晶伊藤正紀佐野芳明OKI)・石川博康江川孝志名工大
 [more] ED2005-204 MW2005-158
pp.29-34
MW, ED
(共催)
2005-01-18
10:45
東京 機械振興会館 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討
伊藤正紀海部勝晶見田充郎大来英之戸田典彦佐野芳明関 昇平OKI)・石川博康江川孝志名工大
 [more] ED2004-215 MW2004-222
pp.19-24
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