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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
16:45
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
西森理人牧山剛三多木俊裕山田敦史今西健治吉川俊英原 直紀渡部慶二富士通研
 [more] ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108
pp.61-65
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪 阪大 中ノ島センター ミリ波高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕岡本直哉金村雅仁増田 哲中舍安宏常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀尾崎史朗中村哲一富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
 [more] ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
pp.51-54
MW 2009-09-25
15:15
東京 電通大 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
重松寿生井上雄介赤瀬川章彦増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] MW2009-86
pp.73-78
ED 2009-06-12
11:25
東京 東京工業大学 GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減
山田敦史牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である.しかしながら... [more] ED2009-48
pp.63-67
MW, ED
(共催)
2009-01-16
09:30
東京 機械振興会館 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
重松寿生井上雄介増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研
 [more] ED2008-218 MW2008-183
pp.113-118
MW, ED
(共催)
2009-01-16
10:55
東京 機械振興会館 ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
ミリ波(W帯)増幅器向けGaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] ED2008-221 MW2008-186
pp.129-133
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
13:55
愛知 名古屋工業大学 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器
多木俊裕吉川俊英金村雅仁今西健治牧山剛三岡本直哉常信和清原 直紀富士通/富士通研
 [more] ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
pp.131-136
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
15:20
大阪 中央電気倶楽部 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
井上雄介増田 哲金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英原 直紀重松寿生常信和清富士通研
 [more] R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
pp.27-31
MW, ED
(共催)
2007-01-19
15:15
東京 機械振興会館 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
金村雅仁多木俊裕今西健治牧山剛三岡本直哉富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英常信和清富士通/富士通研
 [more] ED2006-236 MW2006-189
pp.199-203
MW, ED
(共催)
2007-01-19
16:40
東京 機械振興会館 ミリ波向け高耐圧・高fmax GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕今西健治金村雅仁富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
 [more] ED2006-239 MW2006-192
pp.213-217
ED, MW
(共催)
2006-01-19
15:10
東京 機械振興会館 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT
吉川俊英今西健治金村雅仁常信和清富士通研
 [more] ED2005-207 MW2005-161
pp.45-49
ED, MW
(共催)
2006-01-19
15:35
東京 機械振興会館 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT
金村雅仁吉川俊英岩井大介今西健治久保徳郎常信和清富士通研
 [more] ED2005-208 MW2005-162
pp.51-55
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