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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-06-19
14:50
東京 東京大学(生産研An棟) LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男加藤亮祐京極真也近藤博基財満鎭明名大SDM2009-37
GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜... [more] SDM2009-37
pp.61-66
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