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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-01-27 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 ○鎌倉良成・インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎・脇村 豪（阪大）・木場隼介・土屋英昭（神戸大）・森 伸也（阪大）  SDM2014-139 |
[more] | SDM2014-139 pp.17-20 |
| SDM | 2013-11-15 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法を用いたSiナノ構造の熱電変換性能に関する解析 ○インドラ ヌル アディスシロ・久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2013-112 |
[more] | SDM2013-112 pp.71-76 |
| SDM | 2012-11-16 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション ○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2012-109 |
デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり，集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている．そこで本研... [more] | SDM2012-109 pp.53-58 |
| SDM | 2011-11-11 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション ○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST） SDM2011-120 |
将来のナノスケールSi-MOSFET は薄膜やワイヤ，さらに多重ゲート型など熱伝導性の悪い構造を取るため，デバイス内部の... [more] | SDM2011-120 pp.27-31 |
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