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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-12-07
10:00
京都 京都大学(桂) 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
梶 直樹丹羽弘樹須田 淳木本恒暢京大SDM2012-115
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] SDM2012-115
pp.1-5
SDM 2011-12-16
11:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
丹羽弘樹馮 淦須田 淳木本恒暢京大SDM2011-135
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT... [more] SDM2011-135
pp.17-21
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