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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-06-18 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 ○細井卓治（阪大）・東雲秀司・柏木勇作・保坂重敏（東京エレクトロン）・中村亮太・中野佑紀・浅原浩和・中村 孝（ローム）・木本恒暢（京大）・志村考功・渡部平司（阪大）  SDM2013-59 |
[more] | SDM2013-59 pp.77-80 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| SDM | 2012-11-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 ～ 低抵抗，高耐熱によるシステムの小型化 ～ ○中村 孝・明田正俊・中野佑紀・大塚拓一・花田俊雄（ローム） SDM2012-100 |
超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し，超小型・高効率モジュールを実現． [more] | SDM2012-100 pp.9-10 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
[more] | |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 09:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発 ○中野佑紀・中村亮太・長尾勝久・中村 孝・高須秀視（ローム） ED2010-103 SDM2010-104 |
[more] | ED2010-103 SDM2010-104 pp.233-236 |
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