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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2019-11-11 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別招待講演］ローエンドSiプロセスで高歩留り・温度無依存動作を実現する加工誤差自動補正機能を備えた超低クロストークWDM分波器 ○秋山知之（光電子融合基盤技研）・小田祥一朗（富士通）・鄭 錫煥・中舎安宏・早川明憲・田中 有（光電子融合基盤技研）・星田剛司（富士通）  OCS2019-57 OPE2019-95 LQE2019-73 |
(事前公開アブストラクト) Si光集積回路は光導波路寸法ばらつきに由来する位相誤差が大きく、波長分離回路のクロストークを... [more] | OCS2019-57 OPE2019-95 LQE2019-73 pp.27-32 |
| ED | 2014-12-23 09:40 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上 ○高橋 剛・佐藤 優・中舎安宏・芝 祥一・原 直紀・岩井大介（富士通研） ED2014-108 |
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード... [more] | ED2014-108 pp.57-61 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | InP HEMT技術を用いた40Gbit/s動作デジタル回路 ○鈴木俊秀・川野陽一・中舎安宏・牧山剛三・高橋 剛・原 直紀・廣瀬達哉（富士通研） |
0.13um InP系HEMT技術を用いて，40Gbit/s以上で動作可能なデジタルICを開発した．新規開発したマルチフ... [more] | ED2005-193 MW2005-147 pp.7-12 |
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