電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 28件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2019-08-26
15:50
北海道 北見工業大学 1号館2F A-207講義室 オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
中澤日出樹奈良友奎葛西大希弘前大
これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェ... [more] CPM2019-42
pp.23-28
CPM 2019-02-28
15:25
東京 電通大 炭素系薄膜の作製と評価
中澤日出樹弘前大
 [more] CPM2018-109
pp.37-40
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] CPM2018-52
pp.99-104
CPM 2018-08-09
14:30
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹大橋 遼弘前大)・横山 大田島圭一郎遠藤則史末光眞希東北大)・遠田義晴小林康之鈴木裕史・○中澤日出樹弘前大
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] CPM2018-8
pp.1-6
CPM 2018-08-09
14:50
青森 弘前大学文京町地区キャンパス SiC/AlN/Si(110)基板上グラフェンの成長
中澤日出樹成田舜基奈良友奎遠田義晴弘前大
3ºオフ角を有するSi(110)基板上に、レーザーアブレーション法を用いて様々な成長条件でAlN薄膜を作製した結果、レー... [more] CPM2018-9
pp.7-12
CPM 2018-08-09
15:10
青森 弘前大学文京町地区キャンパス SiC/SiCバッファ層/AlN/Si(110)多層構造におけるSiCバッファ層形成条件の検討
奈良友奎工藤あさひ中澤日出樹弘前大
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3ºオフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] CPM2018-10
pp.13-16
CPM 2018-08-09
16:05
青森 弘前大学文京町地区キャンパス 真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討
対馬和都滝田健介中澤日出樹弘前大)・俵 毅彦舘野功太章 国強後藤秀樹NTT)・池田高之水野誠一郎NTT-AT)・岡本 浩弘前大
 [more] CPM2018-12
pp.21-24
R, EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2017-08-31
13:55
青森 弘前文化センター レーザーアブレーション法によるSiCバッファ層を用いたAlN/Si(110)基板上へのSiCエピタキシャル成長
奈良友奎成田舜基中澤日出樹弘前大
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により3°オフ角Si(110)基板上にAlN層を成長させ、AlN層上にモ... [more] R2017-25 EMD2017-19 CPM2017-40 OPE2017-49 LQE2017-22
pp.7-10
CPM 2015-08-10
13:20
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上SiC薄膜の作製と評価
目黒一煕成田舜基・○中澤日出樹弘前大
AlN/Si(110)基板上にSiC低温バッファ層を形成後、その層上にレーザーアブレーション法により基板温度およびレーザ... [more] CPM2015-31
pp.1-5
CPM 2015-08-10
13:40
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の膜特性への基板バイアスの影響
土屋政人村上和輝佐藤達人高見貴弘遠田義晴中澤日出樹弘前大
CH4、N2および希釈ガスとしてArを用い、基板バイアスにパルスバイアスを用いたRFプラズマCVD法により、基板パルスバ... [more] CPM2015-32
pp.7-10
CPM 2015-08-10
14:00
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 レーザーアブレーション法によるAlN/Si(110)基板上へのSiC成長
成田舜基目黒一煕中澤日出樹弘前大
AlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(110)基板上にAlN層を形成し、結晶性および表面モフォロジ... [more] CPM2015-33
pp.11-14
CPM 2014-09-04
13:30
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 高周波プラズマ化学気相成長法による窒素添加DLC薄膜の特性評価
土屋政人真柄晃平徳田健吾中澤日出樹弘前大
 [more] CPM2014-75
pp.1-5
CPM 2014-09-04
13:55
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 オフ角Si(001)基板上に形成したAlN層上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
目黒一熙成田次理上村駿洋中澤日出樹弘前大
4ºオフ角Si(100)基板およびSi(110)基板上に、窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用いたレーザーアブレーシ... [more] CPM2014-76
pp.7-12
CPM 2012-10-26
16:40
新潟 まちなかキャンパス長岡 Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長
中澤日出樹鈴木大樹成田次理山本陽平弘前大
 [more] CPM2012-100
pp.39-44
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
CPM 2012-08-08
13:25
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長
中澤日出樹鈴木大樹成田次理山本陽平弘前大
 [more] CPM2012-34
pp.5-10
CPM 2012-08-08
13:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大
 [more] CPM2012-35
pp.11-15
CPM 2011-08-10
13:00
青森 弘前大学 文京町キャンパス レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性
鈴木大樹熊谷知貴中澤日出樹弘前大
KrFエキシマーレーザーおよび窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基... [more] CPM2011-56
pp.1-6
CPM 2011-08-10
14:15
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史姉崎 豊浅野 翔加藤有行長岡技科大)・成田 克山形大)・中澤日出樹弘前大)・加藤孝弘・○安井寛治長岡技科大
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後, Ge, SiC... [more] CPM2011-59
pp.15-20
CPM 2011-08-10
15:45
青森 弘前大学 文京町キャンパス プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
奥野さおり三浦創史鎌田亮輔中澤日出樹弘前大
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたプ... [more] CPM2011-62
pp.31-36
 28件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会