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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-06-19
16:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善
吉田啓資・○竹内正太郎中村芳明酒井 朗阪大SDM2015-53
大気中、窒素雰囲気中、酸素雰囲気中において300ºC-500ºCの温度範囲で熱処理を施したAl2O3... [more] SDM2015-53
pp.81-86
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
13:30
北海道 北海道大学(百年記念会館) [招待講演]極薄Si酸化膜技術を用いたSi系熱電ナノ材料の開発
中村芳明阪大ED2014-138 SDM2014-147
我々は, ユビキタス元素からなるSi系熱電材料の開発を目的とし, 新規熱電ナノ材料として, 数nmサイズのナノドットを... [more] ED2014-138 SDM2014-147
pp.1-5
SDM 2013-06-18
13:35
東京 機械振興会館 Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定
石部貴史中村芳明・○松井秀紀竹内正太郎酒井 朗阪大SDM2013-54
Si基板上鉄酸化物薄膜は、安価で環境低負荷な抵抗変化型メモリ(ReRAM)材料として期待されている。しかし、ON/OFF... [more] SDM2013-54
pp.51-55
SDM 2012-06-21
09:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価
淺田遼太Pham Phu Thanh SonKokate Nishad Vasant吉川 純竹内正太郎中村芳明酒井 朗阪大SDM2012-44
新規不揮発性メモリの一つとして、金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO3(001)基... [more] SDM2012-44
pp.7-12
SDM 2011-07-04
16:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Evaluation of Electrical Property at SrTiO3 Bicrystal Interface by EBIC
Tetsuji Kato・○Son Phu Thanh PhamYoshiaki NakamuraJun KikkawaAkira SakaiOsaka Univ.SDM2011-66
 [more] SDM2011-66
pp.93-96
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