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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EE, IEE-HCA
(連催)
2023-05-27
09:30
東京 機械振興会館 B3-1
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
光起電力素子からの赤外輻射を利用した熱輻射発電特性と宇宙システムへの適用性検討
渡辺 健中村徹哉佐藤洸貴内藤 均JAXAEE2023-5
 [more] EE2023-5
pp.39-43
ICTSSL, IN, NWS, IEE-SMF
(連催) ※学会内は併催
2022-10-27
14:55
長野 信州大学 長野(教育)キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
サプライチェーンにおけるデータセキュリティ検証技術
杉山敬三仲野有登小林靖明中村 徹太田陽基小島孝夫三宅 優清本晋作KDDI総合研究所ICTSSL2022-19
サプライチェーンにおいては、検査データや設計データ、プログラムなどの機密性が高いデータを取り扱うことが多い。NIST S... [more] ICTSSL2022-19
pp.12-17
COMP, IPSJ-AL
(連催)
2022-09-15
11:30
神奈川 慶應義塾大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
双方向マッチングにおける新しいIndividual Fairnessに関する一考察
中村 徹磯原隆将KDDI総合研究所COMP2022-12
これまでに,Popularity Preserving Fairness (PPF)と呼ぶ,双方向マッチングにおける新し... [more] COMP2022-12
pp.10-15
ICSS, IPSJ-SPT
(連催)
2014-03-28
09:25
沖縄 名桜大学(沖縄県名護市) 業種間及び地域間のプライバシポリシの比較
中村 徹KDDI研)・ミレナ タシクUniv. of Belgrade)・清本晋作三宅 優KDDI研ICSS2013-87
近年のパーソナルデータの利活用に係る議論の中で,プライバシポリシの表記の
改善が求められている.本研究の目的は,国内外... [more]
ICSS2013-87
pp.173-178
EMM, ISEC, SITE, ICSS
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(併催)
(連催) [詳細]
2012-07-19
15:00
北海道 北海道工業大学 統計値を用いた高速なデータベース連携プライバシ保護協調フィルタリングの提案
中村 徹清本晋作渡辺 龍三宅 優KDDI研ISEC2012-23 SITE2012-19 ICSS2012-25 EMM2012-15
本研究は,複数の事業者が互いの所持するユーザ情報を提供することで,より精度のよい推薦を提供することを目指す.推薦に用いる... [more] ISEC2012-23 SITE2012-19 ICSS2012-25 EMM2012-15
pp.97-102
ED, MW
(共催)
2012-01-11
14:05
東京 機械振興会館 フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード
望月和浩日立)・野本一貴畠山義智片寄秀雄法政大)・三島友義金田直樹土屋忠巌日立電線)・寺野昭久石垣隆士土屋朋信土屋龍太日立)・中村 徹法政大ED2011-125 MW2011-148
Photon recycling was used to increase ionization of Mg in Ga... [more] ED2011-125 MW2011-148
pp.35-40
ICM, LOIS
(併催)
2009-01-23
10:55
山口 海峡メッセ下関 レガシー装置ソフトウェア更改の効率化に関する一検討
田原貴司中村徹雄NTTコムウェア)・岡崎毅宏NEC)・徐 芳茂サン・ジャパン)・佐々木紀之NTTコムウェアICM2008-55
レガシー装置のソフトウェア更改を効率化する手段として,エミュレータによりポーティング開発を実現する方法を検討した結果につ... [more] ICM2008-55
pp.29-34
ED 2007-06-16
11:00
富山 富山大学 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
野本一貴田島 卓法政大)・三島友義日立電線)・佐藤政孝中村 徹法政大ED2007-44
本研究では低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGa... [more] ED2007-44
pp.71-74
ED 2007-06-16
11:35
富山 富山大学 Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性
佐藤政孝宮川晋悟工藤尚宏永田翔平田島 卓中村 徹法政大ED2007-45
 [more] ED2007-45
pp.75-78
ED, SDM, R
(共催)
2006-11-24
15:40
大阪 中央電気倶楽部 AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
松島孝典中嶋正裕野本一貴佐藤政孝中村 徹法政大
 [more] R2006-36 ED2006-181 SDM2006-199
pp.27-31
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