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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-01-22
10:40
東京 東京大学 山上会館 [招待講演]常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考
松山英也ソシオネクスト)・鈴木貴志中村友二富士通研)・塩津基樹江原英郎三重富士通セミコンダクターSDM2015-109
 [more] SDM2015-109
pp.5-8
SDM 2016-01-22
13:00
東京 東京大学 山上会館 [招待講演]低温作製された窒化物薄膜の特性
武山真弓佐藤 勝北見工大)・小林靖志中田義弘中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大SDM2015-112
 [more] SDM2015-112
pp.17-20
SDM 2016-01-22
14:35
東京 東京大学 山上会館 [招待講演]バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果
金 永ソク児玉祥一水島賢子中村友二前田展秀藤本興治東工大)・川合章仁ディスコ)・大場隆之東工大SDM2015-116
Tera-byte 級のDRAM 実現の為に、三次元積層技術は期待されていて、特にWafer on Wafer 方法はコ... [more] SDM2015-116
pp.33-37
CPM 2015-11-06
14:55
新潟 まちなかキャンパス長岡 室温成膜したSiNx膜の特性評価
佐藤 勝武山真弓北見工大)・小林靖志中田義弘中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2015-88
 [more] CPM2015-88
pp.23-26
CPM 2015-08-10
14:40
青森 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製
武山真弓佐藤 勝北見工大)・小林靖志中田義弘中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2015-34
 [more] CPM2015-34
pp.15-18
CPM 2014-10-25
09:40
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx膜の特性
武山真弓佐藤 勝北見工大)・小林靖志中田義弘中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2014-115
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] CPM2014-115
pp.53-56
SDM 2014-02-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価
水島賢子富士通研/東工大)・金 永ソク東工大/ディスコ)・中村友二富士通研)・杉江隆一橋本秀樹東レリサーチセンター)・上殿明良筑波大)・大場隆之東工大SDM2013-167
10 um以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスを積層するには、裏面研削がS... [more] SDM2013-167
pp.13-18
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2013-11-27
15:30
鹿児島 鹿児島県文化センター [招待講演]3D/2.5D実装向けチップ間接続微細配線技術
谷 元昭中田義弘神吉剛司中村友二富士通研VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43
 [more] VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43
pp.101-106(VLD), pp.63-68(CPM), pp.63-68(ICD), pp.9-14(CPSY), pp.101-106(DC), pp.21-26(RECONF)
CPM 2013-10-24
16:55
新潟 新潟大ときめいと 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価
武山真弓佐藤 勝北見工大)・中田義弘小林靖志中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2013-100
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] CPM2013-100
pp.35-39
SDM 2013-02-04
13:50
東京 機械振興会館 LSI配線構造中のCu/絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦
神谷庄司佐藤 尚名工大)・大宮正毅慶大)・宍戸信之小岩康三西田政弘名工大)・中村友二鈴木貴志富士通研)・野久尾毅鈴木俊明日本電子専門学校SDM2012-153
構造物の対破壊信頼性確保は機械工学の基本的使命の一つである。エレクトロニクスデバイスもその例外ではないが、構造の3次元化... [more] SDM2012-153
pp.15-20
SDM 2013-02-04
15:25
東京 機械振興会館 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ~ Metal-Capバリア配線技術 ~
神吉剛司池田淳也須田章一小林靖志中田義弘中村友二富士通研SDM2012-155
高密度チップ集積技術の要素技術となる低コストの有機樹脂を用いたChip間接続再配線の微細化において,有機樹脂中のハロゲン... [more] SDM2012-155
pp.25-30
CPM 2012-08-09
09:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製
武山真弓佐藤 勝北見工大)・中田義弘小林靖志中村友二富士通研)・野矢 厚北見工大CPM2012-45
3次元LSIにおいては、LSIプロセス後にTSVを作製するビア・ラストプロセスが理想的である。そのためには、絶縁膜である... [more] CPM2012-45
pp.51-54
SDM 2012-03-05
15:25
東京 機械振興会館 Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
北田秀樹東大/富士通研)・前田展秀藤本興冶児玉祥一金 永束東大)・水島賢子東大/富士通研)・中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2011-183
 [more] SDM2011-183
pp.41-46
SDM 2012-03-05
15:55
東京 機械振興会館 Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
中塚 理名大)・北田秀樹金 永束東大)・水島賢子中村友二富士通研)・大場隆之東大)・財満鎭明名大SDM2011-184
Wafer-on-wafer技術の応用に向けて,積層した薄化Si層内部における局所歪構造を,顕微ラマン分光法およびX線マ... [more] SDM2011-184
pp.47-52
SDM 2011-02-07
15:25
東京 機械振興会館 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
北田秀樹前田展秀東大)・藤本興治大日本印刷)・水島賢子中田義弘中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] SDM2010-224
pp.49-53
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
10:15
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大SDM2010-141 ICD2010-56
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] SDM2010-141 ICD2010-56
pp.95-97
SDM 2010-02-05
15:45
東京 機械振興会館 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出
上殿明良筑波大)・井上尚也林 喜宏江口和弘中村友二廣瀬幸範吉丸正樹半導体理工学研究センター)・大島永康大平俊行鈴木良一産総研SDM2009-190
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である.陽電子が電子と対消滅する... [more] SDM2009-190
pp.49-52
SDM 2007-12-14
13:50
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測
原 明人東北学院大)・田村直義中村友二富士通研SDM2007-229
エッチング法では観察ができないほどに薄いSiGe中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ5... [more] SDM2007-229
pp.31-34
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