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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
14:05
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
小林茂樹田代健二峯村洋一中上恒平有田幸司大橋貴志キオクシア)・舟山幸太酒井久弥虫賀満輝岡部堅一菅野善宏清水 悟藤倉栄一中江彰宏山口謙介ウエスタンデジタル)・山脇秀之中嶋一明佐藤 充キオクシアSDM2023-77
 [more] SDM2023-77
pp.13-16
SDM 2009-06-19
15:40
東京 東京大学(生産研An棟) LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝SDM2009-39
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] SDM2009-39
pp.71-76
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
15:05
東京 機械振興会館 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
後藤正和辰村光介川中 繁中嶋一明市原玲華吉水康人小野田裕之長友浩二佐々木俊行福島 崇野町映子犬宮誠治青山知憲小山正人豊島義明東芝SDM2008-147 ICD2008-57
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] SDM2008-147 ICD2008-57
pp.109-114
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝SDM2007-159 ICD2007-87
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
10:15
北海道 北海道大学 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
岡山康則齋藤友博大石 周中嶋一明松尾浩司谷口修一小野高稔中山和宏渡辺竜太英保亜弓菰田泰生木村泰己濱口雅史竹川陽一青山知憲東芝
 [more] SDM2006-145 ICD2006-99
pp.115-120
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