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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:45
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリR2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
pp.35-38
ICD 2017-04-21
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
山口まりな藤井章輔上牟田雄一井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝ICD2017-16
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの,CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや,データ読み出... [more] ICD2017-16
pp.85-88
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
10:40
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
上牟田雄一藤井章輔井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝SDM2016-62 ICD2016-30
 [more] SDM2016-62 ICD2016-30
pp.95-98
SDM 2016-06-29
10:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係
上牟田雄一藤井章輔高石理一郎井野恒洋中崎 靖齋藤真澄小山正人東芝SDM2016-32
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] SDM2016-32
pp.1-4
SDM 2006-06-22
10:55
広島 広島大学, 学士会館 窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム
松下大介村岡浩一中崎 靖加藤弘一菊地祥子佐久間 究三谷祐一郎高柳万里子江口和弘東芝
 [more] SDM2006-56
pp.81-86
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