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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2010-12-17
16:25
東京 機械振興会館 BeZnCdSeを用いた緑色レーザの室温連続発振
藤崎寿美子日立)・中島 博ソニー)・葛西淳一秋本良一産総研)・田才邦彦滝口由朗ソニー)・紀川 健日立)・朝妻庸紀玉村好司ソニー)・田中滋久辻 伸二日立)・鍬塚治彦挾間壽文石川 浩産総研LQE2010-126
 [more] LQE2010-126
pp.55-58
LQE 2008-12-12
15:10
東京 機械振興会館 地下3階2号室 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓
野村一郎岸野克巳蛯沢智也櫛田 俊田才邦彦中村 均朝妻庸紀中島 博上智大LQE2008-138
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe?-?族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望... [more] LQE2008-138
pp.53-58
ICD 2007-04-13
09:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability
中島博臣楠 直樹篠 智彰東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・大澤 隆藤田勝之幾見宣之松岡史宜福田 良渡辺陽二南 良博東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・西村 潤浜本毅司仁田山晃寛東芝ICD2007-10
SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mb... [more] ICD2007-10
pp.53-58
ICD 2006-04-13
11:35
大分 大分大学 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb... [more] ICD2006-5
pp.25-30
ICD 2005-04-14
11:40
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
大澤 隆藤田勝之初田幸輔東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・森門六月生南 良博篠 智彰中島博臣井納和美浜本毅司渡辺重佳東芝
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] ICD2005-5
pp.23-28
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