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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2018-08-24
10:15
北海道 小樽経済センター 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザのInPテンプレート膜厚依存性
相川政輝早坂夏樹韓 旭松浦正樹Periyanayagam Gandhi Kallarasan内田和希杉山滉一矢田拓夢下村和彦上智大
 [more] R2018-26 EMD2018-29 CPM2018-29 OPE2018-56 LQE2018-45
pp.47-52
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-25
13:25
福井 芦原温泉清風荘 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較
矢田拓夢内田和希杉山滉一Periyanayagam Gandhi Kallarasan韓 旭相川政輝早坂夏樹下村和彦上智大
我々は,薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し,その基板上にMOVPE法を用いて光デ... [more] LQE2018-16
pp.25-28
R, EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2017-09-01
09:35
青森 弘前文化センター 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの貼付アニール温度依存性
相川政輝大貫雄也早坂夏樹鎌田直樹韓 旭ペリヤナヤガム ガンディ カッラサン内田和希杉山滉一下村和彦上智大
 [more] R2017-32 EMD2017-26 CPM2017-47 OPE2017-56 LQE2017-29
pp.41-44
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
13:15
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作
西山哲央松本恵一岸川純也大貫雄也鎌田直樹下村和彦上智大
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] OPE2016-12 LQE2016-22
pp.15-20
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
13:25
東京 機械振興会館 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大
Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ,この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバ... [more] OPE2015-13 LQE2015-23
pp.15-20
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 直接貼付InP/Si基板上量子ドットLEDからのEL発光
松本恵一金谷佳則岸川純也下村和彦上智大
直接貼付法を用いて作製されたInP/Si基板上にMOVPE選択成長(Ga)InAs/InP量子ドット構造を導入したアレイ... [more] OPE2014-15 LQE2014-20
pp.15-18
ED, SDM
(共催)
2014-02-27
17:50
北海道 北海道大学百年記念会館 InAsナノワイヤ/CMOS異種技術融合集積回路の試作
道又賢司島本一成和保孝夫荻野雄大下村和彦上智大
 [more] ED2013-141 SDM2013-156
pp.51-54
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
11:25
東京 機械振興会館 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長
松本恵一張 きんきん金谷佳則下村和彦上智大
大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法と... [more] OPE2013-9 LQE2013-19
pp.13-18
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
17:20
北海道 北海道大学(百年記念会館) InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス
船山裕晃渡邉龍郎道又賢司和保孝夫村上 新下村和彦上智大
電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAs ナノワイヤ をSi基板上に堆積した。InAs ナノワイヤ及びI... [more] ED2012-136 SDM2012-165
pp.43-46
OPE, OCS
(併催)
2012-05-18
16:20
東京 機械振興会館 選択成長InAs量子ドットアレイLEDのスペクトル解析
山内雅之三枝知充岩根優人吉川翔平下村和彦上智大
 [more] OPE2012-8
pp.29-34
OPE, R, CPM
(共催)
2011-04-22
13:30
東京 機械振興会館 三角形状ヒータを用いたGaInAs/InP MQW波長スイッチのスイッチング特性
柳 智史村上洋介山崎勇輝下村和彦上智大
我々はGaInAs/InP MQWコア構造を用いたアレイ導波路型波長スイッチの研究を行っている.アレイ導波路はMOVPE... [more] R2011-2 CPM2011-2 OPE2011-2
pp.5-10
CPM, OPE, R
(共催)
2010-04-16
13:00
東京 機械振興会館 屈折率分布アレイ導波路における波長スイッチング特性の解析
谷村 昂杉尾崇行村上洋介青柳孝典下村和彦上智大
我々はGaInAs/InP MQW構造を用いたアレイ導波路型波長選択スイッチの研究を行っている.アレイ導波路は,MOVP... [more] R2010-1 CPM2010-1 OPE2010-1
pp.1-6
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-20
15:15
宮城 東北大学 ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED
鈴木勇介川島史裕斉藤泰仁下村和彦上智大
キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている.そして量子ドットはレーザやLEDのような... [more] EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45
pp.63-68
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
10:30
東京 機械振興会館6階66号室 階段型屈折率分布アレイ導波路を用いた波長選択スイッチのBPM解析と試作
杉尾崇行岩崎寛弥谷村 昂村上洋介下村和彦上智大
 [more] OPE2009-19 LQE2009-22
pp.19-23
OPE, CPM, R
(共催)
2009-04-17
15:35
東京 機械振興会館 熱光学効果型GaInAs/InP MQW波長選択スイッチの4波長スイッチング特性
村上洋介清水 優朱 蕾杉尾崇行下村和彦上智大
 [more] R2009-6 CPM2009-6 OPE2009-6
pp.29-34
OPE, LQE
(共催)
2008-06-27
09:45
東京 機械振興会館 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用
斉藤泰仁赤石昌隆大川達也下村和彦上智大
我々は次世代デバイスへ広く応用が期待されている量子ドットについて研究を行っている.量子ドットは構造的に電子を三次元的に閉... [more] OPE2008-18 LQE2008-19
pp.1-6
CPM, OPE, R
(共催)
2007-04-20
15:20
東京 機械振興会館 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果型波長スイッチ
清水 優吉岡太一茂木瑞穂下村和彦上智大
 [more] R2007-5 CPM2007-5 OPE2007-5
pp.23-27
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
15:50
東京 機械振興会館 選択成長導波路アレイを用いた熱光学効果光偏向器・光スイッチに関する研究
茂木瑞穂吉岡太一清水 優下村和彦上智大
 [more] OPE2006-24 LQE2006-28
pp.43-48
OPE 2004-12-14
13:00
東京 機械振興会館 選択成長による半導体導波路アレイを用いた波長分波器・光偏向器
川北泰雅下田屋 卓町田大輔下村和彦上智大
 [more] OPE2004-174
pp.1-5
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