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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
13:50
京都 京大桂キャンパス ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性
前田拓也京大)・岡田政也上野昌紀山本喜之住友電工)・堀田昌宏須田 淳京大ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75
 [more] ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75
pp.9-14
WPT 2016-03-08
09:50
京都 京都大学宇治キャンパス GaNショットキーバリアダイオードを用いた数十W級大電力整流回路の開発
西村貴希三谷友彦篠原真毅京大)・岡田政也善積祐介上野昌紀住友電工WPT2015-87
本研究ではGaNショットキーバリアダイオードを用い、大電力のマイクロ波無線送電システムのための整流回路の開発を目的とする... [more] WPT2015-87
pp.61-65
WPT
(第二種研究会)
2015-12-10
10:00
海外 淡江大学 淡水キャンパス(台湾) Development of High Power Rectifier of 2.45 GHz using GaN Schottky Barrier Diodes with high thermal conductive AlN submounts
Takaki NishimuraTomohiko MitaniNaoki ShinoharaKyoto Univ.)・Masaki UenoMasaya OkadaYuusuke YoshizumiSEI
 [more]
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
14:00
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性
前田拓也京大)・岡田政也山本喜之上野昌紀住友電工)・堀田昌宏須田 淳京大ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106
 [more] ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106
pp.33-37
WPT 2015-03-25
10:10
京都 京都大学宇治キャンパス GaNショットキーダイオードを用いた大電力用整流回路の開発
西村貴希篠原真毅三谷友彦京大)・上野昌紀善積祐介岡田政也住友電工WPT2014-102
 [more] WPT2014-102
pp.45-48
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
11:10
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs
Yoon Seok KimAkio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi KyonoMasaki UenoTakao NakamuraSumitomo ElectricED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115
 [more] ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115
pp.99-102
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
11:15
大阪 阪大 中ノ島センター 低転位GaN基板上縦型HFET
岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
pp.67-70
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