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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-21
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証
山口まりな藤井章輔上牟田雄一井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝
強誘電性を利用した不揮発性メモリ技術は広く普及しているものの,CMOS親和性の低い強誘電材料を用いることや,データ読み出... [more] ICD2017-16
pp.85-88
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
10:40
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
上牟田雄一藤井章輔井野恒洋高石理一郎中崎 靖齋藤真澄東芝
 [more] SDM2016-62 ICD2016-30
pp.95-98
SDM 2016-06-29
10:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係
上牟田雄一藤井章輔高石理一郎井野恒洋中崎 靖齋藤真澄小山正人東芝
TiN/HfSiO/TiN構造の膜物性および電気特性について上部TiN電極プロセスおよび結晶化アニール温度との関係を調べ... [more] SDM2016-32
pp.1-4
SDM 2016-01-28
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性
小田 穣佐久間 究上牟田雄一齋藤真澄東芝
固相成長(SPC)法におけるpoly-Si膜形成プロセスを最適化したAdvanced SPCプロセスを適用し、高性能ポリ... [more] SDM2015-121
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
15:00
熊本 熊本市 [招待講演]低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題
入沢寿史産総研)・池田圭司上牟田雄一小田 穣手塚 勉産総研/東芝)・前田辰郎太田裕之遠藤和彦産総研
 [more] SDM2015-63 ICD2015-32
pp.31-36
SDM 2015-01-27
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証
臼田宏治鎌田善巳上牟田雄一森 貴洋小池正浩手塚 勉産総研
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] SDM2014-138
pp.13-16
SDM 2008-06-10
10:55
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
岩本邦彦上牟田雄一半導体MIRAI-ASET)・布重 裕芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC)・平野晃人小川有人渡邉幸宗半導体MIRAI-ASET)・右田慎二水林 亘森田行則半導体MIRAI-産総研ASRC)・高橋正志半導体MIRAI-ASET)・太田裕之半導体MIRAI-産総研ASRC)・生田目俊秀半導体MIRAI-ASET)・鳥海 明半導体MIRAI-産総研ASRC/東大
 [more] SDM2008-51
pp.53-58
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
10:00
北海道 函館国際ホテル [特別招待講演]HfSiON ~ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ~
西山 彰小山正人上牟田雄一小池正浩飯島良介山口 豪鈴木正道井野恒洋小野瑞城東芝
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] SDM2005-146 ICD2005-85
pp.19-24
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