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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-10-21
10:45
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違
三谷祐一郎東京都市大SDM2021-44
本論文では、ナノエレクトロニクスで幅広く用いられているシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜へのフッ素導入の影響に関して、実... [more] SDM2021-44
pp.1-4
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:45
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリR2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
pp.35-38
SDM 2013-11-15
15:00
東京 機械振興会館 チャネルドーピングによるランダム・テレグラフ・ノイズの変調及び移動度向上によるノイズ低減の検討
陳 杰智東 悠介平野 泉三谷祐一郎東芝SDM2013-114
 [more] SDM2013-114
pp.83-86
SDM 2012-11-15
15:20
東京 機械振興会館 ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性
陳 杰智平野 泉辰村光介三谷祐一郎東芝SDM2012-103
近年,さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメー... [more] SDM2012-103
pp.21-24
ICD 2008-04-18
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2008-11
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] ICD2008-11
pp.57-62
SDM 2008-03-14
13:05
東京 機械振興会館 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝SDM2007-273
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] SDM2007-273
pp.1-6
ICD 2007-04-13
14:20
大分 大分県・湯布院・七色の風 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2007-16
ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言いま... [more] ICD2007-16
pp.89-93
SDM 2006-06-22
10:55
広島 広島大学, 学士会館 窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム
松下大介村岡浩一中崎 靖加藤弘一菊地祥子佐久間 究三谷祐一郎高柳万里子江口和弘東芝
 [more] SDM2006-56
pp.81-86
SDM 2006-06-22
11:20
広島 広島大学, 学士会館 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響
三谷祐一郎佐竹秀喜東芝
極薄ゲート絶縁膜の負バイアス温度不安定性(NBTI)は、微細化の進むCMOSデバイスのPチャネルMOSFETにおいてもっ... [more] SDM2006-57
pp.87-92
ICD 2006-04-14
14:20
大分 大分大学 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
Ryuji OhbaYuichiro MitaniNaoharu SugiyamaShinobu FujitaToshiba
 [more] ICD2006-19
pp.103-107
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