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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-11-10
11:20
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション
橋本風渡鈴木刀真三成英樹中﨑暢也小町 潤ソニーセミコンダクタソリューションズ)・佐野伸行筑波大SDM2023-69
本研究では、不純物の離散性とトラップによるキャリア捕獲励起過程をモンテカルロデバイスシミュレーションに正しく導入し、n型... [more] SDM2023-69
pp.31-34
SDM 2021-11-11
16:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]SISPAD2021レビュー
三成英樹ソニーセミコンダクタソリューションズSDM2021-59
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2021-59
pp.33-37
SDM 2015-11-05
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2015 レビュー
三成英樹ソニーSDM2015-87
 [more] SDM2015-87
pp.19-22
SDM 2012-11-16
11:15
東京 機械振興会館 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~
森 伸也阪大)・植松真司慶大)・三成英樹ミリニコフ ゲナディ阪大)・伊藤公平慶大SDM2012-107
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NE... [more] SDM2012-107
pp.43-46
SDM 2010-11-12
15:05
東京 機械振興会館 シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性
三成英樹阪大/JST)・北山達郎山本将央阪大)・森 伸也阪大/JSTSDM2010-183
直径が1.5 nmと2.5 nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて,強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数... [more] SDM2010-183
pp.65-69
SDM [詳細] 2008-11-14
15:25
東京 機械振興会館 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション
三成英樹西谷大祐森 伸也阪大SDM2008-180
非平衡グリーン関数法を用いた3 次元量子輸送シミュレーションを極微細MOSFET について行った.シミュレーションの結果... [more] SDM2008-180
pp.67-70
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
11:15
東京 機械振興会館 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討
三成英樹西谷大祐森 伸也阪大VLD2007-53 SDM2007-197
非平衡グリーン関数法と強結合近似法を用いることにより,原子論的手法に基づく量子輸送シミュレーションを結晶方位の異なる4種... [more] VLD2007-53 SDM2007-197
pp.15-18
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
15:25
東京 機械振興会館 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算
三成英樹森 伸也阪大
非平衡グリーン関数法に半経験的な sp3d5s* 強結合近似法を導入した量子輸送シミュレータを用いて1次元シリコンナノ構... [more] VLD2006-48 SDM2006-169
pp.55-58
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