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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
14:40
愛知 名古屋工業大学 n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定
塩島謙次前田昌嵩福井大)・三島友義法政大ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
GaN自立基板を用いた厚膜低キャリア濃度ショットキー電極に対して電圧を印加しながら界面顕微光応答測定(scanning ... [more] ED2018-36 CPM2018-70 LQE2018-90
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
16:15
愛知 名古屋工業大学 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価
塩島謙次橋爪孝典福井大)・堀切文正田中丈士サイオクス)・三島友義法政大ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68
GaN表面のモフォロジーがドリフト層の電気的特性に与える影響を界面顕微光応答法により評価した。MOCVD法により厚さ12... [more] ED2017-55 CPM2017-98 LQE2017-68
pp.27-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
16:40
愛知 名古屋工業大学 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 金属仕事関数依存性 ~
塩島謙次今立宏美福井大)・三島友義法政大ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69
pp.33-38
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
13:25
京都 京大桂キャンパス 界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価
塩島謙次村瀬真悟前田昌嵩福井大)・三島友義法政大ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
GaN自立基板上に形成した、Ni/n-GaNショットキー接触に電流値を制限した逆方向電圧ストレスを繰り返して印加し、劣化... [more] ED2016-58 CPM2016-91 LQE2016-74
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
14:15
京都 京大桂キャンパス 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ~ 表面処理の影響 ~
塩島謙次永縄 萌福井大)・三島友義法政大ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に(i)劈開のみ、(ii)H2O2による故意酸化、(... [more] ED2016-60 CPM2016-93 LQE2016-76
pp.15-20
ED 2015-07-24
13:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価
永縄 萌青木俊周福井大)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2015-37
 [more] ED2015-37
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:45
大阪 大阪大学 吹田キャンパス GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
塩島謙次木原雄平青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
pp.35-38
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作
塩島謙次青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープp-GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
pp.39-42
ED 2012-07-26
15:25
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響
高橋利文福井大)・金田直樹三島友義日立電線)・野本一貴ノートルダム大)・塩島謙次福井大ED2012-45
低Mgドープp-GaNショットキー接触を用いて、誘導結合プラズマ(ICP)エッチング損傷を評価した。ICPエッチングは、... [more] ED2012-45
pp.21-24
ED 2012-07-26
15:50
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性
高橋利文福井大)・金田直樹三島友義日立電線)・梶原隆司田中 悟九大)・塩島謙次福井大ED2012-46
結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-Ga... [more] ED2012-46
pp.25-30
ED, MW
(共催)
2012-01-11
14:05
東京 機械振興会館 フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード
望月和浩日立)・野本一貴畠山義智片寄秀雄法政大)・三島友義金田直樹土屋忠巌日立電線)・寺野昭久石垣隆士土屋朋信土屋龍太日立)・中村 徹法政大ED2011-125 MW2011-148
Photon recycling was used to increase ionization of Mg in Ga... [more] ED2011-125 MW2011-148
pp.35-40
ED 2007-06-16
11:00
富山 富山大学 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究
野本一貴田島 卓法政大)・三島友義日立電線)・佐藤政孝中村 徹法政大ED2007-44
本研究では低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGa... [more] ED2007-44
pp.71-74
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