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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:45
ONLINE オンライン開催 AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出
佐藤恒輔旭化成)・大森智也山田和輝田中隼也石塚彩花手良村昌平岩山 章岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大)・竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
 [more] ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
pp.9-12
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:40
ONLINE オンライン開催 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
田中隼也名城大)・佐藤恒輔旭化成)・安江信次荻野雄矢山田和輝石塚彩花大森智也手良村昌平岩山 章名城大)・三宅秀人三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
pp.75-78
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
14:30
ONLINE オンライン開催 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上
形岡遼志小泉晴比古岩山 章三宅秀人三重大ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は,二次元層状物質で,歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている.従来,h-BNは有機金... [more] ED2020-22 CPM2020-43 LQE2020-73
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:20
ONLINE オンライン開催 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)に周期300 nmと深さ12... [more] ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
pp.91-94
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
16:00
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入
稲森崇文窪谷茂幸石原頌也白土達也上杉謙次郎正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77
 [more] ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77
pp.99-102
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:35
静岡 静岡大学(浜松) AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
pp.45-48
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
13:25
静岡 静岡大学(浜松) UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性
田中隼也川瀬雄太名城大)・佐藤恒輔旭化成/名城大)・安江信次手良村昌平荻野雄矢名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・三宅秀人三重大ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
pp.93-96
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
14:05
愛知 名古屋工業大学 r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価
福田 涼正直花奈子蒋 楠上杉謙次郎林 侑介肖 世玉三宅秀人三重大ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104
 [more] ED2018-50 CPM2018-84 LQE2018-104
pp.83-86
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:15
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究
渡邊直也元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59
ワイヤーグリッド(WG)構造は様々な応用が期待されている構造である. 偏光子や波長板, 光吸収体などの応用が考えられてい... [more] PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59
pp.41-45
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN
(共催)
PEM, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:40
兵庫 姫路西はりま地場産業センター 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーのプラズモン励起特性及び感度特性
伊藤優佑元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60
 [more] PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60
pp.47-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:45
愛知 名古屋工業大学 スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長
吉澤 涼林 侑介三宅秀人平松和政三重大ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
15:10
愛知 名古屋工業大学 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用
林 侑介三宅秀人平松和政秋山 亨伊藤智徳三重大)・片山竜二阪大ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
 [more] ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80
pp.87-90
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-18
11:25
三重 伊勢市観光文化会館 一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性
伊藤優佑元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57
表面プラズモンセンサーは, 表面プラズモンポラリトン(SPP)の励起を利用して, 対象媒質の屈折率の変化に対応して検出を... [more] PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57
pp.13-18
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-18
11:50
三重 伊勢市観光文化会館 表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の作製と偏光特性評価に関する研究
中嶋智康元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58
我々はこれまでに2層型ワイヤーグリッド偏光子(WGP)の周期によって異常透過の起きる入射角度が変化し, 表面プラズモン(... [more] PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58
pp.19-22
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
15:25
三重 伊勢市観光文化会館 Au 2次元回折格子構造による光学素子の作製と光学特性評価
山田泰士元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95
Au 2次元回折格子構造を使った光学ミラーの実現のために、電子線リソグラフィ技術とリフトオフ工程を利用して作製し、光学特... [more] PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95
pp.269-272
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
15:50
三重 伊勢市観光文化会館 焦点制御型回折レンズの作製と焦点距離と焦点深度の制御
井口陽介元垣内敦司三宅秀人平松和政三重大PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96
レーザー光を様々な分野へ応用するために,周期構造によって焦点距離と焦点深度を制御できる焦点制御型回折レンズの設計を行い,... [more] PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96
pp.273-278
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
10:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール
鈴木周平林 家弘三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
pp.5-9
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:20
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
pp.11-14
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
15:05
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 [招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価
秩父重英東北大)・三宅秀人平松和政三重大ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108
 [more] ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108
pp.43-48
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