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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:15
ONLINE オンライン開催 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:35
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:30
ONLINE オンライン開催 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上暁喜原田紘希山中瑞樹江川孝志三好実人名工大ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
pp.25-28
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:55
静岡 静岡大学(浜松) MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・岡田成仁只友一行山口大)・竹内哲也名城大ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87
 [more] ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87
pp.49-52
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:30
静岡 静岡大学(浜松) c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田紘希三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
pp.53-56
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
13:25
愛知 名古屋工業大学 c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87
 [more] ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87
pp.5-8
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:00
愛知 名古屋工業大学 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
新規AlGaNチャネルHFET構造として,バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
pp.41-44
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:25
愛知 名古屋工業大学 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡啓太久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
pp.45-48
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
09:40
愛知 名古屋工業大学 サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨太田美希原田紘希加藤慎也三好実人江川孝志名工大ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート(AlNテンプレート)の2種類の基板上にInGa... [more] ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
pp.39-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:45
愛知 名古屋工業大学 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
pp.73-76
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
09:05
京都 京大桂キャンパス MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨三好実人江川孝志名工大ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
pp.55-59
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
14:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑智基堤 達哉三好実人江川孝志名工大ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
pp.95-99
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
14:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周三好実人江川孝志名工大ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121
pp.97-102
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
10:10
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD
Makoto MiyoshiShigeaki SumiyaMikiya IchimuraTomohiko SugiyamaSota MaeharaMitsuhiro TanakaNGK)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2010-105 SDM2010-106
 [more] ED2010-105 SDM2010-106
pp.241-244
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
10:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価
市村幹也三好実人田中光浩日本ガイシ)・江川孝志名工大ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128
pp.99-103
MW, ED
(共催)
2005-01-18
11:35
東京 機械振興会館 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT
三好実人名工大/日本ガイシ)・今西 敦石川博康江川孝志名工大)・浅井圭一郎柴田智彦田中光浩小田 修日本ガイシ
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] ED2004-217 MW2004-224
pp.31-35
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