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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 ○亀代典史・渡部隆夫・石井智之・峰 利之（日立）・佐野聡明（ルネサス北日本セミコンダクタ）・伊部英史・秋山 悟（日立）・柳沢一正・一法師隆志・岩松俊明・高橋保彦（ルネサステクノロジ）  SDM2008-136 ICD2008-46 |
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] | SDM2008-136 ICD2008-46 pp.47-52 |
| ICD, ITE-CE (共催) |
2006-12-15 11:15 |
広島 | (財）広島産業振興機構 広島県情報プラザ | PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 ～ ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計 ～ ○小澤 治・福岡一樹・五十嵐康人・倉石 孝・安 義彦・牧 幸生・一法師隆志・落合俊彦・白畑正芳・石橋孝一郎（ルネサステクノロジ） |
[more] | ICD2006-163 pp.115-119 |
| SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2005-10-20 16:30 |
宮城 | 作並温泉一の坊 | SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM) ○行天隆幸・森下 玄・野田英行（ルネサステクノロジ）・岡本真子（大王電機）・一法師隆志・前川繁登・堂阪勝己・有本和民（ルネサステクノロジ） |
本稿では，SOIを用いた新規のメモリとして，キャパシタレス・ツインセルトランジスタRAM（TTRAM）を提案する。提案す... [more] | SIP2005-113 ICD2005-132 IE2005-77 pp.107-112 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 16:20 |
北海道 | 函館国際ホテル | [パネルディスカッション] サブ50-nm時代の切り札、SOI ～ SOIがBulkに勝てる技術はこれだ！ ～ 榎本忠儀（中大）・○道関隆国（NTT）・有本和民（ルネサステクノロジ）・井田次郎（OKI）・一法師隆志（ルネサステクノロジ）・三木和彦（東芝）・山岡雅直（日立）・吉見 信（SOITEC） |
(事前公開アブストラクト) SOI技術のパネル討論会 [more] | SDM2005-142 ICD2005-81 pp.85-90 |
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