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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
14:00
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向 ~ FinFET, BS-PDN, GAA-NS-FET, CFET, 2D-CFET ~
若林 整東工大SDM2023-46 ICD2023-25
先端ロジック集積回路向けデバイスの最新技術動向について議論する。 [more] SDM2023-46 ICD2023-25
pp.50-55
SDM 2022-11-10
10:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]CMOSデバイス技術の最新動向とIRDSロードマップ
若林 整東工大SDM2022-64
ロジックLSI向けCMOSデバイス技術の最新動向とIRDSロードマップについて議論する。 [more] SDM2022-64
pp.1-6
SDM 2022-06-21
15:10
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]TMD混晶の物性と新規低温CVD原料の探索
小椋厚志横川 凌明大/MREL)・若林 整東工大SDM2022-28
 [more] SDM2022-28
pp.16-19
SDM 2022-06-21
16:40
愛知 名古屋大学 VBL3F [招待講演]WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ
川那子高暢松﨑貴広梶川亮介宗田伊理也星井拓也角嶋邦之筒井一生若林 整東工大SDM2022-30
 [more] SDM2022-30
pp.23-26
SDM 2021-06-22
14:40
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]二次元材料をチャネルとするFET
若林 整東工大SDM2021-24
 [more] SDM2021-24
pp.13-15
SDM 2020-11-20
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~
執行直之渡辺正裕角嶋邦之星井拓也古川和由東工大)・中島 昭産総研)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・若林 整宗田伊里也東工大)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2020-30
 [more] SDM2020-30
pp.36-40
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大SDM2019-42 ICD2019-7
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-06-21
14:30
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測
筒井一生東工大)・松下智裕高輝度光科学研究センター)・名取鼓太郞小川達博東工大)・室 隆桂之高輝度光科学研究センター)・森川良忠阪大)・星井拓也角嶋邦之若林 整東工大)・林 好一名工大)・松井文彦分子科学研)・木下豊彦高輝度光科学研究センターSDM2019-30
光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、S... [more] SDM2019-30
pp.23-27
SDM 2017-06-20
15:15
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
高山留美星井拓也東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・大橋弘通角嶋邦之若林 整筒井一生東工大SDM2017-27
 [more] SDM2017-27
pp.31-34
SDM 2017-06-20
16:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
松浦賢太朗大橋 匠宗田伊理也東工大)・石原聖也明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
 [more]
SDM 2016-06-29
13:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス
角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大SDM2016-38
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] SDM2016-38
pp.33-36
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大SDM2016-46
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
ICD 2014-01-28
13:00
京都 京都大学時計台記念館 [招待講演]多機能LSIプラットフォームとしての先端CMOSデバイス技術
若林 整東工大
多機能LSIプラットフォームとしての先端CMOSデバイス技術として、まず多機能LSI実用例を示し、さらにBenchmar... [more]
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