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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-08
10:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) 実験データと数値シミュレーションを用いたショットキー放出電子源の平均輝度およびリチャードソン定数の推定
岡田風杜小澤光貴村田英一田中崇之六田英治名城大ED2023-50
電子源の性能を示すパラメータとして最も重要なものの一つは、輝度(平均輝度)である。しかしながら、通常、平均輝度は、研究室... [more] ED2023-50
pp.45-48
ED 2022-12-08
13:45
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 飽和磁性体を含む系の磁界計算を行うための境界磁荷法の改善
杉浦元哉村田英一六田英治田中崇之名城大ED2022-52
これまで我々は、隣接する磁性体の透磁率に大きな差がある静磁場系において、高精度な磁場計算を行うための3次元境界磁化法(B... [more] ED2022-52
pp.11-14
ED 2022-12-08
15:35
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 表面拡散法におけるPt薄膜積層数が単原子終端Wピラミッドの形成に与える効果
國枝夕夏浅井泰尊吉田真子稲葉雪乃村田英一六田英治名城大ED2022-56
W 針を貴金属単原子層で覆い加熱することにより、単原子終端 W ピラミッドを作製できる。この
ピラミッド構造は熱力学的... [more]
ED2022-56
pp.23-25
ED 2022-12-09
12:05
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 通常より低い加熱温度でのLaB6熱電子放出およびショットキー放出の電子放出特性
梶田寵太郎岡田風杜田中崇之村田英一六田英治名城大ED2022-64
我々は、ショットキー放出モードで動作し、(1)高輝度と大電流の同時達成、(2)長寿命、(3)安定動作の条件を満たす新しい... [more] ED2022-64
pp.44-46
ED 2022-12-09
16:00
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 電界誘起水及び酸素エッチングによるタングステン針からの特異な電子放出
稲葉雪乃壁谷 桜森岡咲帆脇 彩花吉田真子國枝夕夏村田英一六田英治名城大ED2022-69
電界誘起酸素エッチングと呼ばれる真空中処理によりタングステン(W)針を先鋭化する試みがなされ、原子スケール終端をもつ収束... [more] ED2022-69
pp.62-63
ED 2019-11-21
13:50
東京 機械振興会館 Si抵抗一体型フィールドエミッタアレイの製作
新谷英世村田英一六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2019-61
フィールドエミッタは陰極表面のマイグレーションやガス分子の吸着脱離によって電流特性が常に変化し続ける。そのため、微小なフ... [more] ED2019-61
pp.9-12
ED 2018-10-24
14:00
東京 機械振興会館 地下3階1号室 ボルケーノ構造スピント型エミッタアレイの動作チップ数の向上
新谷英世・○村田英一池田貴大六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2018-26
これまで我々は、フィールドエミッタアレイ(FEA)の動作状態のリアルタイム観察が可能なマルチエミッタ評価用SEEM/PE... [more] ED2018-26
pp.1-4
ED 2018-10-24
14:50
東京 機械振興会館 地下3階1号室 Pd酸化物を貴金属供給源に持つ貴金属被覆ナノ電子源の作製 ~ Pd酸化物の還元処理の検討 ~
浅井泰尊川合亮太松原史弥田中崇之村田英一六田英治名城大ED2018-28
 [more] ED2018-28
pp.9-12
ED 2018-10-24
15:35
東京 機械振興会館 地下3階1号室 Graphene形成によって誘起されたNi針先端の構造変化
川合亮太浅井泰尊松原史弥田中崇之村田英一六田英治名城大ED2018-29
 [more] ED2018-29
pp.13-16
ED 2017-10-27
09:55
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの動作チップの放出電流測定
田口広大・○村田英一六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2017-45
 [more] ED2017-45
pp.39-42
ED 2016-10-26
10:20
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) コロジオンに分散させた二酸化パラジウムを貴金属供給源とするナノ電子源の作製
浅井泰尊熊谷成輝村田英一六田英治名城大ED2016-53
貴金属で被覆されたタングステン(W)の原子スケールのピラミッドを,タングステン(W)針の先端に自発的に成長させることがで... [more] ED2016-53
pp.47-50
ED 2015-10-23
09:00
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) 貴金属原子の表面拡散を経て作製されたナノピラミッド表面への銅フタロシアニンの吸着
浅井泰尊熊谷輝成浅井大誠加藤秀次村田英一六田英治名城大)・大島忠平早大ED2015-61
 [more] ED2015-61
pp.35-39
ED 2014-10-22
09:00
北海道 北大エンレイソウ Field Emission Spectroscopy用高精度制御電源装置の開発
古川和人熊谷成輝村田英一浅井泰尊加藤秀次六田英治下山 宏名城大ED2014-68
ナノチップ電子源は先端の大きさをナノレベルに形成した電子源であり、電子ビーム機器の高性能化にとって必要不可欠な存在である... [more] ED2014-68
pp.29-34
ED 2011-10-20
15:55
青森 八戸ポータルミュージアム はっち Remolding処理によるBlunt W tip先端上 Nano-Pyramid形成支援
中川達裕村田英一下山 宏藤田 真六田英治名城大ED2011-63
単原子電子源と呼ばれる究極的に小さな放出領域をもつ電子源の開発が模索されている.我々は,単原子電子源として利用できるNa... [more] ED2011-63
pp.17-20
ED 2010-10-25
15:45
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) マスク描画用高輝度高エミッタンス電子銃の開発
椿 大輔村田英一六田英治下山 宏名城大ED2010-133
これまで、我々は、次世代の電子線露光装置用の電子銃の設計および開発を行ってきている。電子線露光装置では、高い電流密度の電... [more] ED2010-133
pp.27-32
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