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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD | 2020-03-06 16:50 |
千葉 | 千葉工業大学 津田沼キャンパス 6号館1F 612講義室 （開催中止，技報発行あり） |
電磁コンタクタの開離アーク放電に対する周囲気体の影響 ～ 気体圧力と電流の影響 ～ ○長瀬聡太・山本喜貴・澤 孝一郎・吉田 清（日本工大）  EMD2019-72 |
電磁コンタクタをクリーンエア（大気中）と水素中で開離時アーク放電を発生させ、アーク継続時間ta，アークエネルギーEa，ア... [more] | EMD2019-72 pp.65-70 |
| EMD | 2020-01-17 14:55 |
神奈川 | レンタルホール湘南平塚 | 交流電流遮断時のアーク特性に及ぼす周囲気体と圧力の影響 ○山本喜貴・長瀬聡太・吉田 清・澤 孝一郎（日本工大）・鈴木健司（富士電機機器制御） EMD2019-50 |
電磁コンタクタを大気と水素中で開離時アーク放電を発生させ、アーク継続時間ta，アークエネルギーEa，アーク消滅電流，およ... [more] | EMD2019-50 pp.11-16 |
| ICD | 2018-04-20 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例 ○澤田陽平・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・藪内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘・伊東恭二（日本システムウエア）・田中信二・新居浩二・蒲原史郎（ルネサス エレクトロニクス） ICD2018-8 |
[more] | ICD2018-8 pp.29-32 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:40 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 ○藪内 誠・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘（日本システムウエア）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-33 ICD2017-21 |
[more] | SDM2017-33 ICD2017-21 pp.13-16 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・小林正治・平本俊郎（東大） SDM2015-67 ICD2015-36 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] | SDM2015-67 ICD2015-36 pp.53-57 |
| SDM | 2014-10-17 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2014-94 pp.61-68 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 09:00 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology ○Koichiro Ishibashi（UEC）・Nobuyuki Sugii（LEAP）・Kimiyoshi Usami（SIT）・Hideharu Amano（KU）・Kazutoshi Kobayashi（KIT）・Cong-Kha Pham（UEC）・Hideki Makiyama・Yoshiki Yamamoto・Hirofumi Shinohara・Toshiaki Iwamatsu・Yasuo Yamaguchi・Hidekazu Oda・Takumi Hasegawa・Shinobu Okanishi・Hiroshi Yanagita（LEAP） SDM2014-62 ICD2014-31 |
[more] | SDM2014-62 ICD2014-31 pp.1-4 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 09:50 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルにおける最低動作電圧 (Vmin) の統計的解析 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2014-72 ICD2014-41 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの最低動作電圧 (Vm... [more] | SDM2014-72 ICD2014-41 pp.55-58 |
| ICD | 2014-04-18 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］Adaptive Body Bias技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの0.37V超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・山下朋弘・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・水谷朋子・平本俊郎（東大） ICD2014-11 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | ICD2014-11 pp.53-57 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2013-75 ICD2013-57 |
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] | SDM2013-75 ICD2013-57 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［依頼講演］超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2012-68 ICD2012-36 |
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい．消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] | SDM2012-68 ICD2012-36 pp.29-32 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:25 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき ○水谷朋子（東大）・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・平本俊郎（東大） SDM2012-69 ICD2012-37 |
65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し，バルクMOSトランジスタ... [more] | SDM2012-69 ICD2012-37 pp.33-36 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） |
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more] | |
| MW | 2008-11-20 11:05 |
長崎 | 長崎大学 | 整合回路を不要とする連続チャンネルマルチプレクサの検討 ～ 地上デジタル中継局用アンテナ共用器への適用 ～ ○野本俊裕・山本佳希・田口 誠（NHK） MW2008-121 |
一端終端型フィルタを使用した連続バンド（チャンネル）マルチプレクサでは最も周波数の低いフィルタの下端と最も周波数の高いフ... [more] | MW2008-121 pp.19-24 |
| EMT, OPE, MW (共催) |
2007-08-03 09:00 |
北海道 | 室蘭工業大学 | 異なるQ0をもつ共振器からなるフィルタの挿入損失 ○野本俊裕・山本佳希・中野正芳（NHK）・永松 敬・根岸美紀（日本電業工作） MW2007-67 OPE2007-54 |
OFDM信号のスペクトルは帯域内でほぼ平坦であり，フィルタ設計では信号伝送帯域内全体の挿入損失を最小とすることが望まれる... [more] | MW2007-67 OPE2007-54 pp.143-146 |
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