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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2019-07-18
10:30
東京 機械振興会館 等価アンテナを用いた金属板上に配置したワイヤーハーネスからの放射電界の推定
山田紘生王 建青名工大
近年,自動車に搭載される電子機器の増加に伴い,それに接続されるワイヤーハーネスも増加している.ワイヤーハーネスに流れるコ... [more] EMCJ2019-19
pp.7-10
EMCJ, IEE-EMC
(連催)
2018-12-14
09:30
愛知 (株)デンソー 非対称ダイポール等価アンテナ用いた金属筐体に接続されたワイヤーハーネスからの放射電界の推定
山田紘生王 建青名工大
近年,自動車に搭載される電子機器の増加に伴い,それに接続されるワイヤーハーネスも増加している.ワイヤーハーネスに流れるコ... [more] EMCJ2018-88
pp.7-11
RCS 2018-10-18
09:00
東京 機械振興会館 フルデュープレクスにおける時間同期した巡回シフトZadoff-Chu系列を用いる制御チャネル多重法
佐和橋 衛山田大貴志村 彩東京都市大)・岸山祥久NTTドコモ
 [more] RCS2018-150
pp.1-6
ASN, NS, RCS, SR, RCC
(併催)
2018-07-12
09:55
北海道 函館アリーナ フルデュープレクスにおけるサブフレーム単位のシンボル繰り返しを用いる物理チャネル多重法
佐和橋 衛山田大貴東京都市大)・岸山祥久NTTドコモ
 [more] RCS2018-92
pp.75-80
NS 2017-10-26
16:40
大阪 大阪府立大学 I-siteなんば [招待講演]ハイパフォーマンススポーツにおけるネットワークがつなぐ人と情報
楠本一樹AJTA)・角一哲児NISHI)・加藤千穂AJTA)・山田裕生JSC)・久野峻幸OUHS)・神田明典AJTA)・澤田泰輔SS)・橋口 寛EO)・小田俊明HUTE)・大橋卓生金沢工大
ハイパフォーマンススポーツの強化現場における、スポーツPDCAサイクルを円滑に回す1例として、ネットワークを利用した人と... [more] NS2017-107
p.81
RCS 2017-06-23
10:20
沖縄 石垣商工会館 Full Duplexを用いるOFDMにおける繰り返しディジタル自己干渉キャンセラの 量子化ビット数の影響
山田大貴大友崇裕佐和橋 衛東京都市大)・齊藤敬佑NTTドコモ
本稿では,Full duplex (FD)を用いる直交周波数分割多重(OFDM: Orthogonal Frequenc... [more] RCS2017-82
pp.191-196
RCS, IN, NV
(併催)
2017-05-11
13:00
東京 機械振興会館 Full Duplexにおける繰り返しディジタル自己干渉キャンセラの特性
大友崇裕山田大貴・○佐和橋 衛東京都市大)・齊藤敬佑NTTドコモ
Full Duplex (FD)では,送信部から受信部に回り込む自己干渉(SI: Self-interference)を... [more] RCS2017-36
pp.35-40
MSS, CAS
(共催)
IPSJ-AL
(連催) [詳細]
2016-11-24
13:00
兵庫 神戸情報大学院大学 非決定離散事象システムの模倣制御におけるノンブロッキングスーパバイザの存在性
山田悠貴高井重昌阪大
 [more] CAS2016-62 MSS2016-42
pp.25-30
MICT, ASN, MoNA
(併催)
2016-01-29
09:50
神奈川 箱根湯本温泉の旅館 ホテルおかだ 散乱電界に基づくインプラント医療機器位置推定法の特性評価
山田大樹安在大祐王 建青名工大
高度医療の要求の高まりを背景にカプセル内視鏡を始めとしたインプラント医療機器の普及が加速的に進んでいる.インプラント医療... [more] MICT2015-48
pp.39-43
MVE, ITE-HI, HI-SIG-VR
(連催)
2011-06-28
11:15
東京 東京大学山上会館 家具への分散型組み込みディスプレイによるバーチャルキャラクターを介したコミュニケーション促進プロダクトの提案
山田啓己東大)・白井晃平日立)・大貫喬平ヘルメス)・ソハン アリエル ハイエスマードック大)・廣瀬通孝東大
本報告では,モバイル端末の小型形状という側面,高解像度ディスプレイとしての側面,相互通信可
能な情報伝達端末としての側... [more]
MVE2011-15
pp.7-10
SDM, CPM, ED
(共催)
2010-05-14
13:55
静岡 静岡大学(浜松キャンパス) MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面
高野 泰山田洋毅見崎 龍高木達也福家俊郎静岡大
有機金属気相成長法でSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期時の... [more] ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31
pp.75-79
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