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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催)
2021-12-21
10:20
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析
礒前雄人岸本尚之林 拓也國澤宗真東京理科大)・渡邊一世山下良美町田龍人原 紳介笠松章史NICT)・○遠藤 聡藤代博記東京理科大
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
ED, MW
(共催)
2020-01-31
16:35
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [招待講演]ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術
渡邊一世山下良美笠松章史NICTED2019-105 MW2019-139
窒化ガリウム(GaN)系高電子移動度トランジスタ(HEMT)等の化合物半導体電子デバイスは,周波数100 GHz以上で動... [more] ED2019-105 MW2019-139
pp.59-64
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ICD, CPSY, CAS
(共催)
2017-12-14
14:30
沖縄 アートホテル石垣島 無線伝送電力の安定化を目的とした並列共振型E級発振器の設計
山下良満和田和千明大CAS2017-74 ICD2017-62 CPSY2017-71
本研究では,磁界結合を用いた無線電力伝送における送電ユニット,受電ユニット間の距離の変化による伝送電力の安定化を目的とし... [more] CAS2017-74 ICD2017-62 CPSY2017-71
pp.57-62
ED 2010-06-17
15:15
石川 北陸先端大 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製
山下良美渡邊一世遠藤 聡広瀬信光松井敏明NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2010-38
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] ED2010-38
pp.25-30
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
15:50
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性
渡邊一世遠藤 聡山下良美広瀬信光NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138
pp.151-155
MW, ED
(共催)
2009-01-16
09:55
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡渡邊一世山下良美NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICTED2008-219 MW2008-184
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT(metal-insulator-semi... [more] ED2008-219 MW2008-184
pp.119-123
ED 2007-11-27
14:45
宮城 東北大学 電気通信研究所 サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性
遠藤 聡渡邊一世NICT)・山下良美富士通研)・三村高志富士通研/NICT)・松井敏明NICTED2007-190
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し,そのDC,... [more] ED2007-190
pp.17-21
ED, SDM, R
(共催)
2006-11-24
15:15
大阪 中央電気倶楽部 InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ~ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ~
渡邊一世NICT)・篠原啓介Rockwell)・北田貴弘徳島大)・下村 哲愛媛大)・遠藤 聡山下良美三村高志富士通研)・冷水佐壽奈良高専)・松井敏明NICT
 [more] R2006-35 ED2006-180 SDM2006-198
pp.21-25
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