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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-11-16
11:15
東京 機械振興会館 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~
森 伸也阪大)・植松真司慶大)・三成英樹ミリニコフ ゲナディ阪大)・伊藤公平慶大SDM2012-107
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NE... [more] SDM2012-107
pp.43-46
SDM 2009-11-13
10:25
東京 機械振興会館 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大/JSTSDM2009-143
原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した.開発した手法を用いることにより,デバイスシミュレーションに... [more] SDM2009-143
pp.45-48
SDM [詳細] 2008-11-14
15:00
東京 機械振興会館 ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響
鎌倉良成ミリニコフ ゲナディ森 伸也阪大)・江崎達也広島大SDM2008-179
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー... [more] SDM2008-179
pp.61-66
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:50
東京 機械振興会館 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大)・江崎達也広島大VLD2007-52 SDM2007-196
 [more] VLD2007-52 SDM2007-196
pp.11-14
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