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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-01-30 15:25 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ ○宮武悠人（東大）・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野 誠（産総研）・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中 充（東大）  SDM2022-83 |
相変化材料に基づく光位相シフタは, シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて中赤外領域で動作する量子光回路の有望な構... [more] | SDM2022-83 pp.17-20 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
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