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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 190mVから昇圧可能な0.18um標準CMOSプロセスを用いたエネルギーハーベスティング向けCMOSゲート電圧2倍振幅スタートアップボルテージダブラー型チャージポンプ ○吉田穣理・宮地幸祐（信州大）  CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 |
近年、バッテリーの電源が消失したときでも、室内光等の低電力ソースから電源供給を復帰させるコールドスタート機能を持ったIo... [more] | CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 p.127 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 高周波ヒステリシス制御DC-DCコンバータにおけるワイヤーボンディングとフリップチップボンディングの比較 ○柄澤悠樹・後藤悠佑・原 慎太朗・福岡孝将・宮地幸祐（信州大） CAS2017-92 ICD2017-80 CPSY2017-89 |
本研究では，高周波ヒステリシス制御DC-DCコンバータをワイヤーボンディング(WB)，フリップチップボンディング(FCB... [more] | CAS2017-92 ICD2017-80 CPSY2017-89 p.129 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-15 15:30 |
東京 | 東京工業大学 | ［ポスター講演］光プローブ電流センサ向け光電流電圧変換CMOSアナログフロントエンド回路の検討と試作 ○小柳洸介・宮地幸祐（信州大） ICD2016-74 CPSY2016-80 |
パワーエレクトロニクス向けに、磁気光学効果を用いた光プローブ電流センサが研究されている。従来の磁気ヨーク付きホール効果電... [more] | ICD2016-74 CPSY2016-80 p.67 |
| ICD, CPSY (共催) |
2015-12-17 16:00 |
京都 | 京都工芸繊維大学 | ［ポスター講演］非接触給電向け電圧遅延変換DLLを用いたZVSCMOS整流器 ○篠原秀樹・宮地幸祐（信州大） ICD2015-79 CPSY2015-92 |
無線電力供給用途のCMOS整流回路の効率を良くするためにアクティブダイオードが広く研究されている。アクティブダイオードは... [more] | ICD2015-79 CPSY2015-92 p.61 |
| ICD | 2015-04-16 16:40 |
長野 | 信州大学 | ［パネル討論］クラウド時代の半導体メモリー技術 ○新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・宮地幸祐（信州大）・高野了成（産総研）・高木健誠・三輪 達（サンディスク） ICD2015-7 |
近年の不揮発性メモリの発展、とりわけNAND型フラッシュメモリの高集積化に伴い、HDDからフラッシュメモリを用いたSSD... [more] | ICD2015-7 p.31 |
| ICD | 2014-04-17 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | 三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの性能要求 ○宮地幸祐（中大）・藤井裕大（東大）・上口 光（中大）・樋口和英・孫 超（東大）・竹内 健（中大） ICD2014-3 |
[more] | ICD2014-3 pp.9-14 |
| ICD | 2014-04-17 12:10 |
東京 | 機械振興会館 | ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案 ○蜂谷尚悟・上口 光（中大）・宮地幸祐（信州大）・竹内 健（中大） ICD2014-5 |
TLC NAND flashは低コスト、大容量を実現できるメモリとして注目されているが、書き込み性能、許容書き換え回数は... [more] | ICD2014-5 pp.21-26 |
| ICD | 2014-04-17 12:35 |
東京 | 機械振興会館 | SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計 ○宮地幸祐（中大）・孫 超（東大）・曽我あゆみ・竹内 健（中大） ICD2014-6 |
[more] | ICD2014-6 pp.27-32 |
| ICD | 2013-04-12 11:10 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上 ○宮地幸祐（中大）・藤井裕大（東大）・上口 光（中大）・樋口和英・孫 超（東大）・竹内 健（中大） ICD2013-15 |
新規不揮発メモリであるストレージクラスメモリ（storage class memory: SCM）とMLC（/multi... [more] | ICD2013-15 pp.73-78 |
| ICD | 2013-04-12 12:00 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源 ○宮地幸祐・上口 光（中大）・樋口和英（東大）・竹内 健（中大） ICD2013-17 |
MLCの相変化メモリ（PCM）とNANDフラッシュメモリを用いた三次元実装ハイブリッドSSD向けの読み出し参照源回路を提... [more] | ICD2013-17 pp.85-90 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2013-02-01 11:10 |
東京 | 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター | 3次元実装ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価 ○蜂谷尚悟・宮地幸祐・上口 光・竹内 健（中大） ICD2012-125 |
ReRAMをストレージクラスメモリ（SCM）に用いた、3次元実装ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDを提案する... [more] | ICD2012-125 pp.39-43 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束 ○小林大介・宮地幸祐（中大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（中大） ICD2012-94 |
6T-SRAMにおいて，しきい値電圧（VTH）のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため，パスゲートトランジ... [more] | ICD2012-94 p.31 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドReRAM/MLC NAND SSD向け評価プラットフォームの構築 ○岡本 峻・宮地幸祐・上口 光・竹内 健（中大） ICD2012-102 |
[more] | ICD2012-102 p.55 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］BiCS型立体構造NANDフラッシュメモリーにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計指針 ○平澤黎生・宮地幸祐・竹内 健（中大） ICD2012-103 |
[more] | ICD2012-103 p.57 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］トランザクションモデルベース評価プラットフォームを用いた、3次元ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDの性能評価と実データパターンの解析 ○鳥海 航・宮地幸祐・上口 光・蜂谷尚悟・竹内 健（中大） ICD2012-104 |
[more] | ICD2012-104 p.59 |
| ICD | 2012-12-18 15:45 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］回路系トップレベル学会を目指した体験 ～ 異分野出身を活かす ～ ○宮地幸祐（中大） ICD2012-122 |
[more] | ICD2012-122 pp.139-143 |
| ICD | 2012-04-24 13:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | ［招待講演］高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 ○宮地幸祐（東大）・鈴木利一（パナソニック）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2012-12 |
[more] | ICD2012-12 pp.61-66 |
| ICD | 2011-12-15 16:10 |
大阪 | 大阪大学会館 | ［ポスター講演］50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究 ○樋口和英・宮地幸祐・上口 光・竹内 健（東大） ICD2011-116 |
抵抗変化型メモリは低消費電力かつスケーラビリティに優れ，CMOSプロセスとの親和性が高くサブ20nm不揮発性メモリの有力... [more] | ICD2011-116 pp.75-80 |
| SDM | 2011-11-11 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討 ○宮地幸祐・洪 慶麟・竹内 健（東大） SDM2011-125 |
[more] | SDM2011-125 pp.57-61 |
| ICD | 2011-04-19 11:45 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 ○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2011-13 |
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] | ICD2011-13 pp.71-76 |
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