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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2023-03-02 16:25 |
鳥取 | 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］60nm InP-HEMT技術を用いた220-325 GHz 高利得・高同相除去 差動増幅回路 ○濱田裕史・堤 卓也・パンダー アダム・松崎秀昭・杉山弘樹・高橋宏行・野坂秀之（NTT）  MW2022-169 |
[more] | MW2022-169 pp.70-75 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 09:00 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・徐 照男・高橋宏行・松崎秀昭（NTT） ED2021-55 |
本報告では，Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子... [more] | ED2021-55 pp.34-39 |
| MWP | 2020-05-28 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術 ○堤 卓也・杉山弘樹・濱田裕史・野坂秀之・松崎英昭（NTT） MWP2020-1 |
あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム（5G）の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展... [more] | MWP2020-1 pp.1-6 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 14:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［特別講演］THzイメージングに向けた高精度かつ高速な誘電率測定システム ○徐 照男・濱田裕史・松崎秀昭・野坂秀之（NTT） ED2019-100 MW2019-134 |
テラヘルツ波の位相情報を用いた誘電率イメージングは非金属物を検出する有効な手段の一つであり、食品異物検査等の非破壊検査へ... [more] | ED2019-100 MW2019-134 pp.35-40 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・野坂秀之・松崎秀昭（NTT） ED2019-82 |
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] | ED2019-82 pp.23-28 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2019-11-11 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別招待講演］SOA集積電界吸収型光変調光源(AXEL)による106Gbit/s PAM4 60 km伝送 ○進藤隆彦・藤原直樹・金澤 慈・名田允洋・吉松俊英・神田 淳・陳 明晨・大礒義孝・佐野公一・松崎秀昭（NTT） OCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74 |
(事前公開アブストラクト) 高出力パワーを特徴とするAXELチップと、高感度を特徴とするAPDチップを用いファイバアンプ... [more] | OCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74 pp.33-36 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 13:00 |
東京 | 日立中研 | ［依頼講演］光通信・無線通信向け超高速IC技術 ○野坂秀之・長谷宗彦・濱田裕史・徐 照男・脇田 斉・堤 卓也・杉山弘樹・武藤美和・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2018-84 MW2018-151 |
[more] | ED2018-84 MW2018-151 pp.79-84 |
| LQE, OPE, SIPH (共催) |
2018-12-06 15:50 |
東京 | 慶應義塾大学 | ［招待講演］2-um-band tunable laser for CO2 gas sensing ○Yuta Ueda・Takahiko Shindo・Takuya Kanai・Makoto Shimokozono・Naoki Fujiwara（NTT）・Hiroyuki Ishii（former NTT）・Hideaki Matsuzaki（NTT） OPE2018-104 LQE2018-114 SIPH2018-20 |
[more] | OPE2018-104 LQE2018-114 SIPH2018-20 pp.35-38 |
| AP, MW (併催) |
2018-09-20 14:55 |
東京 | 東京工業大学 | InP-HEMTによる300 GHz帯 100 Gb/sトランシーバ ○濱田裕史（NTT）・藤村拓弥・アブド イブラヒム・岡田健一（東工大）・堤 卓也・ソン ホジン・杉山弘樹・松崎秀昭・野坂秀之（NTT） MW2018-60 |
5Gの次世代技術として，データレート100 Gb/sを実現するような無線システムの研究が進められている．ミリ波・THz帯... [more] | MW2018-60 pp.7-12 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 15:35 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | 高速THz波帯誘電率測定システム ○徐 照男・濱田裕史・松崎秀昭・野坂秀之（NTT） ED2017-92 |
[more] | ED2017-92 pp.77-80 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 14:10 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 | 28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ（AXEL） ○進藤隆彦・小林 亘・長谷部浩一・藤原直樹・吉松俊英・金澤 慈・大野哲一郎・三条広明・大礒義孝・石井啓之・曽根由明・松崎秀昭（NTT） LQE2017-17 |
[more] | LQE2017-17 pp.69-72 |
| ED | 2016-12-19 14:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well ○Amine El Moutaouakil・Hiroki Sugiyama・Hideaki Matsuzaki（NTT） ED2016-80 |
[more] | ED2016-80 pp.1-5 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2016-10-28 11:30 |
宮崎 | 宮崎市民プラザ（宮崎） | 高速APDによる56Gbit/s 40km伝送 ○名田允洋・星 拓也・松崎秀昭（NTT） OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66 |
(事前公開アブストラクト) 高速APDによる、５６Ｇｂｉｔ／ｓ NRZ信号の光アンプレス４０ｋｍ伝送に成功したので報告す... [more] | OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66 pp.87-90 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 10:50 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate ○Dariush H. Zadeh・Tanabe Shinichi・Watanabe Noriyuki・Matsuzaki Hideaki（NTT） |
[more] | |
| EMT, MW, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-07-16 16:35 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | ［招待講演］有無線通信を支える高速受光デバイスの最新技術動向 ○名田允洋・吉松俊英・松崎秀昭（NTT） EMT2015-19 MW2015-57 OPE2015-31 EST2015-23 MWP2015-22 |
[more] | EMT2015-19 MW2015-57 OPE2015-31 EST2015-23 MWP2015-22 pp.61-64 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用 ○名田允洋・星 拓也・山崎裕史・横山春喜・橋本俊和・松崎秀昭（NTT） OPE2015-19 LQE2015-29 |
光通信用高速アバランシェフォトダイオード（APD）の高線形化について議論する。今回提案するAPDは、光吸収層における正孔... [more] | OPE2015-19 LQE2015-29 pp.43-46 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-22 11:30 |
北海道 | 小樽経済センター | 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術 ○名田允洋・横山春喜・村本好史・松崎秀昭（NTT） R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45 |
[more] | R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45 pp.91-94 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-17 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | F帯全帯域動作MMICミキサの設計法 ○濱田裕史・小杉敏彦・松崎秀昭・杉山弘樹・野坂秀之（NTT） ED2013-129 MW2013-194 |
F帯フルカバースペクトル分析器応用に向けた，MMICミキサの設計・試作結果について報告する．今回，InP-HEMTを用い... [more] | ED2013-129 MW2013-194 pp.109-113 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2013-10-25 11:15 |
福岡 | 門司港・海峡ロマンホール | 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・石橋忠夫・松崎秀昭（NTT） OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85 |
[more] | OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85 pp.99-102 |
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