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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| PRMU, IPSJ-CVIM (連催) |
2021-03-05 10:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 異弦同音を考慮したエレキギターの畳み込みニューラルネットワークに基づく自動採譜 ○松井俊暁・松本哲也・工藤博章（名大）・竹内義則（大同大）  PRMU2020-86 |
本研究では，エレキギターにおけるタブ譜の採譜を支援することを目的とし，音響信号とテンポ情報を入力として楽譜情報を出力する... [more] | PRMU2020-86 pp.97-102 |
| AP, MW (併催) |
2012-09-28 10:00 |
埼玉 | KDDI研究所（上福岡） | 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用 ○松井敏明・川上 彰・笠松章史（NICT） MW2012-73 |
[more] | MW2012-73 pp.43-48 |
| ED | 2010-06-17 15:15 |
石川 | 北陸先端大 | 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2010-38 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2010-38 pp.25-30 |
| ED | 2009-11-29 15:30 |
大阪 | 大阪科学技術センター | モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-163 |
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには，主にゲート長Lg の短縮，及び短チャネル効果を抑制す... [more] | ED2009-163 pp.19-23 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 pp.151-155 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-214 MW2008-179 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2008-214 MW2008-179 pp.95-99 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| ED | 2008-12-19 15:05 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | InAlAs/In0.7Ga0.3As系HEMTの極低温下における超高速動作 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・篠原啓介（NICT/HRL Labs.）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-187 |
ゲート長Lg=50～700 nmを有するIn0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As系HEMTのDC・RF特性... [more] | ED2008-187 pp.15-20 |
| ED | 2008-12-19 16:20 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | ［招待講演］無線システム技術とミリ波デバイス研究 ○松井敏明・渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・小野島紀夫・東脇正高・広瀬信光（NICT） ED2008-190 |
ミリ波周波数帯の研究開発は、電波周波数資源拡大の立場から国家的な緊急の課題となっている。近年急速な拡大が進む無線システム... [more] | ED2008-190 pp.33-34 |
| ED | 2007-11-27 13:30 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 ○小野島紀夫・笠松章史・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-187 |
本研究ではミリ波帯動作する超高速シリコン系デバイスの開発に向けて、サブ100 nmゲート長SiGe/Si高電子移動度トラ... [more] | ED2007-187 pp.1-5 |
| ED | 2007-11-27 13:55 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2007-188 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2007-188 pp.7-10 |
| ED | 2007-11-27 14:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | サブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・山下良美（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT）・松井敏明（NICT） ED2007-190 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を用いたサブ100 nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTを作製し，そのDC，... [more] | ED2007-190 pp.17-21 |
| ED, SDM, R (共催) |
2006-11-24 15:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 ～ (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制 ～ ○渡邊一世（NICT）・篠原啓介（Rockwell）・北田貴弘（徳島大）・下村 哲（愛媛大）・遠藤 聡・山下良美・三村高志（富士通研）・冷水佐壽（奈良高専）・松井敏明（NICT） |
[more] | R2006-35 ED2006-180 SDM2006-198 pp.21-25 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:45 |
京都 | 京都大学 | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] | ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38 |
| EMCJ, MW (共催) |
2005-10-28 16:00 |
秋田 | 秋田大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリ（VBL）2階大セミナー室 | UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルスの発生と整形 ○李 可人・栗田大輔・松井敏明（NICT） |
[more] | EMCJ2005-105 MW2005-111 pp.69-74 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 17:40 |
滋賀 | 立命館大学 | 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET ○東脇正高・小野島紀夫・松井敏明（NICT） |
[more] | ED2005-138 CPM2005-125 LQE2005-65 pp.93-96 |
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